3SK298ZP-T1 时间：2025/9/7 0:29:09 阅读：14

3SK298ZP-T1 是一款由Mitsubishi Electric（三菱电机）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器以及电机控制等高功率场合。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，适用于需要高效率和高性能的电源系统。作为一款表面贴装型器件，3SK298ZP-T1具有良好的热稳定性和较高的可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：6A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.45Ω @ VGS = 10V
　　功率耗散（PD）：2W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-89
　　

特性

3SK298ZP-T1 是一款性能优异的N沟道功率MOSFET，具备低导通电阻和高开关速度的特点。其导通电阻仅为0.45Ω，在VGS为10V时能够提供稳定的导通状态，有助于降低功率损耗并提高系统效率。由于采用了先进的沟槽栅极技术，该器件在高频应用中表现出色，能够有效减少开关损耗，提高整体系统性能。
　　此外，3SK298ZP-T1 具有较高的热稳定性和良好的散热能力，适用于各种高功率应用环境。其SOT-89封装形式不仅便于表面贴装工艺，还提高了器件在PCB上的可靠性。该器件的工作温度范围宽，可在-55°C至150°C之间稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。

应用

3SK298ZP-T1 广泛应用于各类功率电子系统中，包括电源管理模块、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器以及负载开关控制等。在电源管理系统中，该器件可用于高效能的电压调节和能量转换。在电机控制应用中，3SK298ZP-T1 的高电流承载能力和快速开关特性使其成为理想的功率开关器件。此外，该MOSFET还可用于汽车电子系统中的功率控制，如车载充电器、LED照明驱动以及各种电子控制单元。