时间：2025/9/6 8:08:50
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MPR4045PTW 是一款由 Microchip Technology 生产的双路 N 沟道增强型功率 MOSFET 集成电路。该器件采用先进的沟槽技术，提供高效的功率开关性能，适用于需要高效率、高频率操作的应用。该封装为 TSSOP（Thin-Shrink Small Outline Package），适合用于空间受限的设计。MPR4045PTW 的设计使其在低导通电阻（RDS(on)）和高速开关特性之间实现了良好的平衡，适用于 DC-DC 转换器、负载开关和马达控制等多种应用。
类型：MOSFET（双N沟道）
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：4.4A（每个通道）
导通电阻（RDS(on)）：19mΩ（典型值，@VGS=10V）
功耗（PD）：2.4W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TSSOP-8
MPR4045PTW 提供了多项关键特性，使其在功率管理应用中表现优异。首先，其双 N 沟道 MOSFET 设计允许在单个芯片上实现双路独立控制，节省了 PCB 空间并简化了设计。该器件的低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体效率。此外，其高栅极阈值电压稳定性确保了在各种工作条件下的可靠开关操作。该器件支持高频率开关操作，适用于现代开关电源（SMPS）和同步整流器等应用。TSSOP 封装提供了良好的热性能和空间效率，适合用于便携式设备和高密度电路设计。MPR4045PTW 还具有良好的抗静电（ESD）保护能力，提高了器件在复杂电磁环境下的可靠性。
另一个重要的特性是其热保护和过流保护功能，这使得该器件在异常条件下能够自动限制电流并防止损坏。这对于电池供电设备或需要长时间运行的工业设备来说尤为重要。此外，MPR4045PTW 的封装设计支持自动贴装工艺，简化了生产流程并提高了制造效率。这些综合特性使得该 MOSFET 在性能、可靠性和设计灵活性方面表现出色。
MPR4045PTW 广泛应用于多种功率管理领域，包括同步降压转换器、DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关和电机驱动器。它也适用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电源管理模块。此外，该器件还常用于工业控制系统、电信设备和汽车电子中的功率开关应用。由于其高频率操作能力和低导通损耗，MPR4045PTW 也适用于需要高效能功率转换的太阳能逆变器和LED照明驱动电路。
Si7461DP, FDMS7680, BSC090N03LSG, NVTFS5C471NL
