MPL2012S3R3NHT是一款由Monolithic Power Systems(MPS)推出的微型功率电感器,专为高效率、小尺寸的DC-DC转换应用设计。该器件结合了紧凑型封装与高性能磁性材料,适用于便携式电子设备和空间受限的应用场景。MPL2012S3R3NHT属于MPL2012系列,采用扁平化结构设计,具备良好的抗电磁干扰(EMI)性能,能够在高频开关电源中稳定工作。该电感器通常用于负载点(POL)电源、电池供电系统、物联网设备、可穿戴电子产品以及移动通信模块等对体积和能效要求较高的场合。其结构采用多层平面绕组与铁氧体磁芯集成工艺,确保在有限的空间内实现低直流电阻和高饱和电流特性,从而提升整体电源系统的转换效率并降低热损耗。此外,该器件具有良好的温度稳定性,适合在宽温环境下长期运行,满足工业级和消费类电子产品的可靠性需求。
产品系列:MPL2012
电感值:3.3μH ±30%
额定电流(Isat):1.3A(典型值)
直流电阻(DCR):45mΩ(最大值)
自谐振频率(SRF):≥200MHz(典型值)
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
存储温度范围:-40°C 至 +150°C
封装尺寸:2.0mm × 1.2mm × 1.0mm(L×W×H)
安装类型:表面贴装(SMD)
引脚数:2
磁屏蔽类型:全屏蔽结构
感应公差:±30%
最大工作电压:20V
MPL2012S3R3NHT电感器采用了先进的平面磁集成技术,使其在极小的封装尺寸下仍能保持优异的电气性能。其核心优势之一是低直流电阻(DCR),仅为45mΩ最大值,这显著减少了导通损耗,提高了电源转换效率,特别适合用于低电压、大电流输出的同步降压变换器中。由于其结构采用全屏蔽磁芯设计,有效抑制了漏磁现象,降低了对外部元件的电磁干扰,提升了系统EMI兼容性,使得在高密度PCB布局中也能安全使用。该器件的饱和电流(Isat)高达1.3A,意味着即使在瞬态负载突增的情况下,电感能够维持电感量不急剧下降,避免因磁饱和导致的电流失控或电路失效。同时,其自谐振频率高于200MHz,确保在现代高频开关电源(如工作于1MHz以上的控制器)中仍能保持稳定的电感特性,不会因接近谐振点而引发阻抗异常或噪声放大。
MPL2012S3R3NHT还具备出色的热稳定性,材料选用高温耐受性强的复合磁介质,在持续负载条件下温升较低,可在-40°C至+125°C的宽温度范围内可靠运行,符合RoHS和无铅焊接标准,支持回流焊工艺。其微型2012封装(2.0mm×1.2mm×1.0mm)便于自动化贴片生产,节省PCB空间,非常适合应用于智能手机、TWS耳机、智能手表、传感器节点等追求轻薄短小的产品设计中。此外,该电感器经过严格的可靠性测试,包括高温高湿存储、温度循环和机械冲击测试,确保在复杂环境下的长期稳定性。MPS通过优化材料配比与制造工艺,实现了性能与尺寸的最佳平衡,使MPL2012S3R3NHT成为现代小型化电源设计中的理想选择。
MPL2012S3R3NHT广泛应用于各类需要高效、小型化功率电感的便携式和高密度电子设备中。典型应用场景包括移动设备中的负载点(Point-of-Load, POL)电源管理模块,例如智能手机和平板电脑中的处理器核心供电、内存电源轨等,这些应用对空间利用率和能效有极高要求。在可穿戴设备如智能手表、健身追踪器和无线耳机中,该电感器因其微型尺寸和低功耗特性而被广泛采用,有助于延长电池续航时间并减小整机厚度。此外,它也适用于物联网(IoT)终端节点、无线传感器网络、蓝牙/Wi-Fi模组等低功耗无线通信设备的DC-DC转换电路中,配合MP系列电源管理IC构建高效的降压稳压系统。
在工业控制和消费类电子产品中,MPL2012S3R3NHT可用于小型电源适配器、LED驱动电路、摄像头模组供电以及嵌入式微控制器(MCU)的辅助电源设计。其良好的EMI性能使其在高频开关电源环境中表现出色,能够减少对外围敏感信号线路的干扰,提高系统整体稳定性。此外,由于其具备较高的饱和电流和温度耐受能力,也可用于汽车电子中的非动力域低压电源模块,如车载信息娱乐系统的小功率DC-DC转换器。总之,凡是需要在有限空间内实现高效率能量转换的场合,MPL2012S3R3NHT都是一种可靠且高性能的磁性元件解决方案。
MPL2012S3R3NT