MB87M2141 时间：2025/8/9 3:04:59 阅读：28

MB87M2141是一款由富士通（Fujitsu）公司生产的16位高性能CMOS静态随机存取存储器（SRAM），适用于需要高速数据存储和低功耗的工业和通信设备。该芯片采用先进的CMOS技术制造，具有高速访问时间和低功耗的特点，广泛用于网络设备、通信系统、工业自动化设备等领域。

参数

存储容量：256K x 16位
　　电源电压：3.3V
　　访问时间：55ns、70ns、100ns可选
　　封装类型：TSOP、LFBGA
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　输入/输出电平：LVTTL兼容
　　最大工作电流：180mA（典型值）
　　待机电流：10mA（最大）

特性

MB87M2141 SRAM芯片具备高速访问能力，访问时间最低可达55ns，满足高性能系统的需求。其低功耗设计使其在活跃模式和待机模式下均表现出色，适用于需要节能的嵌入式应用。芯片采用CMOS技术，具有良好的抗干扰能力和稳定性，适用于恶劣工业环境。此外，MB87M2141支持LVTTL输入/输出电平，便于与多种控制器和外围设备接口兼容。该芯片提供TSOP和LFBGA等多种封装形式，适应不同的PCB布局需求。其宽工作温度范围（-40°C至+85°C）确保了在极端环境下的稳定运行。
　　此外，MB87M2141具备自动省电功能，在未被访问时自动进入低功耗模式，进一步降低能耗。其内部地址锁存功能可以减少外部控制器的负担，提高系统效率。该芯片还支持复用地址/数据总线模式，简化电路设计并减少引脚数量。凭借这些特性，MB87M2141成为高性能嵌入式系统、通信设备和工业控制设备的理想存储解决方案。