MPCET-S5201-TP57 是一款高性能的碳化硅 (SiC) MOSFET 模块,专为高功率密度和高效能应用设计。该模块采用先进的 SiC 技术,具有低导通电阻、快速开关速度以及卓越的热性能。它通常用于工业电源、新能源汽车、太阳能逆变器以及其他需要高效率和高频工作的电力电子设备。
该模块集成了两个 SiC MOSFET,形成半桥拓扑结构,适合用作 DC/DC 转换器或逆变器的核心组件。其封装形式采用了增强型焊接技术,提升了散热性能和可靠性。
额定电压:1200V
额定电流:450A
导通电阻:3.5mΩ
最大工作温度:175°C
封装形式:TP57
栅极电荷:80nC
反向恢复时间:<50ns
1. 使用碳化硅材料制造,具备更高的击穿场强和更低的导通损耗。
2. 高开关频率支持,能够显著减少无源元件的体积和重量。
3. 内置温度传感器,便于实时监控模块的工作状态。
4. 具备短路保护功能,增强了系统运行的安全性。
5. 出色的热管理设计,确保在高负载条件下的稳定运行。
6. 半桥配置简化了电路设计,提高了整体系统的效率。
MPCET-S5201-TP57 广泛应用于以下领域:
1. 新能源汽车中的电机驱动和车载充电器。
2. 工业级 UPS 和 DC/DC 转换器。
3. 太阳能光伏逆变器及储能系统。
4. 高效电源转换装置,例如服务器电源和通信基站电源。
5. 特种电源设备,如感应加热器和焊接机。
其出色的性能使其成为高功率密度和高效率应用的理想选择。
MPCET-S5201-TP62
MPCET-S401-TP57
C2M0160120D