时间：2025/8/2 8:52:17
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2SA1417T-TD-E 是一款由东芝（Toshiba）制造的双极型晶体管（BJT），属于PNP型晶体管。该晶体管设计用于高频应用，适用于射频（RF）和中频（IF）放大器电路。它采用小型表面贴装封装（SOT-23），适合现代电子设备中的紧凑型设计。该晶体管具有良好的高频响应和稳定性，广泛应用于无线通信设备、射频模块和其他需要高频放大的电路中。
类型：PNP型晶体管
封装：SOT-23
最大集电极电流：100mA
最大集电极-发射极电压：50V
最大基极-发射极电压：5V
最大集电极-基极电压：50V
最大功耗：100mW
增益带宽积：250MHz
电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
工作温度范围：-55°C至150°C
2SA1417T-TD-E晶体管的主要特性之一是其优异的高频性能。该晶体管的增益带宽积达到250MHz，使其非常适合用于高频信号放大，例如在射频前端或中频放大器中。此外，其低噪声特性使得它在接收器和放大器电路中表现优异。
另一个重要特性是其表面贴装封装（SOT-23），这种封装形式不仅节省空间，而且便于自动化生产，提高了PCB布局的灵活性。该封装还具有良好的热稳定性和机械强度，适用于各种严苛的工作环境。
该晶体管的电流增益（hFE）范围较广，根据不同的等级，其hFE值可在110到800之间变化，这使得它能够满足不同电路设计的需求。同时，其最大集电极电流为100mA，最大集电极-发射极电压为50V，能够在较宽的电压和电流范围内稳定工作。
在热性能方面，该晶体管支持的工作温度范围为-55°C至150°C，使其能够在极端温度条件下可靠运行。这使得它不仅适用于消费类电子产品，还适合工业和汽车电子应用中的高温环境。
2SA1417T-TD-E晶体管广泛应用于需要高频放大的电子电路中。例如，在无线通信设备中，该晶体管可用于射频信号放大器，以提高信号的强度和稳定性。在射频模块和无线传感器网络中，该晶体管也可用于中频放大器和驱动放大器，确保信号的高效传输。
此外，由于其低噪声特性和良好的高频响应，该晶体管也常用于音频放大器的前置放大级，尤其是在需要高保真度的音响设备中。它还可用于模拟电路中的开关和放大功能，如电源管理电路、信号调理电路和数据采集系统。
在汽车电子系统中，该晶体管可以用于车载通信模块、遥控门锁系统和无钥匙进入系统中的射频信号放大。由于其封装形式适合自动化生产，因此也常用于大规模生产的消费类电子产品中，如智能手机、无线耳机和蓝牙模块等。
2SA1015, 2SA1906, 2SA1249
