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MPC1830ADTB 发布时间 时间:2025/9/2 13:31:59 查看 阅读:8

MPC1830ADTB 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高效率、高性能的电源管理和功率转换应用而设计,适用于如 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电池供电设备等场景。MPC1830ADTB 采用先进的工艺制造,确保了低导通电阻(RDS(on))和优异的热性能,有助于在高电流应用中减少功率损耗并提高系统效率。该器件封装为 DPAK(TO-252),便于散热和安装。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(VDS):30V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):100A
  导通电阻(RDS(on)):@VGS=10V时,最大值为3.5mΩ;@VGS=4.5V时,最大值为5.3mΩ
  功率耗散(PD):130W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装:DPAK(TO-252)

特性

MPC1830ADTB 具备多项优异特性,首先是其低导通电阻(RDS(on)),这有助于降低导通状态下的功率损耗,提高系统效率,尤其适用于高电流应用场景。该器件的栅极驱动电压兼容性强,可在4.5V至20V范围内正常工作,方便与多种控制电路(如PWM控制器或微处理器)配合使用。此外,MPC1830ADTB 具有较高的电流承载能力,连续漏极电流可达100A,满足高功率密度设计的需求。
  其采用DPAK(TO-252)封装形式,具有良好的散热性能,有助于在高负载条件下维持较低的结温,从而提升器件的可靠性和寿命。该封装还支持表面贴装工艺,便于自动化生产和PCB布局。MPC1830ADTB 的热阻(RθJA)较低,有助于在高功耗应用中保持良好的热管理。
  此外,该MOSFET具备出色的雪崩能量承受能力,能够在突发的电压冲击下保持稳定运行,适用于对可靠性和稳定性要求较高的工业和汽车电子系统。其栅极氧化层设计也具有较高的耐用性,可承受多次开关操作而不易损坏。

应用

MPC1830ADTB 主要应用于需要高效率和高电流能力的功率系统中。例如,它常用于DC-DC转换器中作为主开关器件,以实现高效的电压转换;在同步整流电路中,它可用于降低导通损耗,提高整流效率;在电机驱动和电源管理系统中,MPC1830ADTB 可用于控制大电流负载的通断,适用于电动工具、无人机和机器人等设备。此外,该器件也适用于电池管理系统(BMS)、负载开关、电源分配系统以及汽车电子中的各种功率控制应用。

替代型号

MPC1830ADTB 可以被 IRF1830PbF、SiR1830ADP、FDMS86101、IPB1830P10S3-07 等型号替代。这些器件在性能参数、封装形式和应用场景上具有相似性,但使用时应根据具体电路设计和工作条件进行验证和匹配。

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