30N06是一款N沟道功率MOSFET,适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用。该器件采用TO-220封装形式,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够有效降低功耗并提高效率。
最大漏源电压:60V
最大漏极电流:30A
导通电阻:45mΩ
栅极电荷:18nC
开关时间:ton=27ns, toff=19ns
工作结温范围:-55℃至+150℃
30N06的导通电阻较低,在额定条件下可以显著减少传导损耗。
其快速开关性能有助于减少开关损耗,适合高频操作场景。
此外,它具备较高的雪崩击穿能量能力,能够在过载情况下提供更好的保护。
该器件的静态和动态参数经过优化设计,以适应各类功率转换及控制需求。
其封装形式TO-220提供了良好的散热性能,方便实际电路布局。
该芯片广泛应用于各种电力电子设备中,例如开关电源适配器、电池充电器、LED驱动器以及小型电机控制器等。
在工业领域,30N06可用于伺服驱动系统中的功率级部分。
消费类电子产品中,如笔记本电脑电源和家用电器,也能见到它的身影。
另外,它还适用于需要高效能和高可靠性的逆变器与不间断电源(UPS)系统。
IRFZ44N
STP36NF06
FDP038N06L