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30N06 发布时间 时间:2025/5/8 18:28:08 查看 阅读:4

30N06是一款N沟道功率MOSFET,适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用。该器件采用TO-220封装形式,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够有效降低功耗并提高效率。

参数

最大漏源电压:60V
  最大漏极电流:30A
  导通电阻:45mΩ
  栅极电荷:18nC
  开关时间:ton=27ns, toff=19ns
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

30N06的导通电阻较低,在额定条件下可以显著减少传导损耗。
  其快速开关性能有助于减少开关损耗,适合高频操作场景。
  此外,它具备较高的雪崩击穿能量能力,能够在过载情况下提供更好的保护。
  该器件的静态和动态参数经过优化设计,以适应各类功率转换及控制需求。
  其封装形式TO-220提供了良好的散热性能,方便实际电路布局。

应用

该芯片广泛应用于各种电力电子设备中,例如开关电源适配器、电池充电器、LED驱动器以及小型电机控制器等。
  在工业领域,30N06可用于伺服驱动系统中的功率级部分。
  消费类电子产品中,如笔记本电脑电源和家用电器,也能见到它的身影。
  另外,它还适用于需要高效能和高可靠性的逆变器与不间断电源(UPS)系统。

替代型号

IRFZ44N
  STP36NF06
  FDP038N06L

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30N06参数

  • 现有数量2,384现货
  • 价格1 : ¥5.56000剪切带(CT)2,500 : ¥2.16355卷带(TR)
  • 系列UMW
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)30A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)29 毫欧 @ 15A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)25 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1562 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)55W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252(DPAK)
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63