MPC17A50VMEL 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高电压和高功率应用设计。该器件适用于各种工业和汽车电子系统,能够提供高效的电源管理与功率开关功能。其封装形式为 TO-263,便于散热,适合高电流负载的场景。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):500V
栅源电压(Vgs):±30V
连续漏极电流(Id):17A
工作温度范围:-55°C至150°C
导通电阻(Rds(on)):0.38Ω @ Vgs=10V
功率耗散(Ptot):200W
MPC17A50VMEL 具备低导通电阻特性,使得在导通状态下的功率损耗更低,从而提高了系统的整体效率。此外,该 MOSFET 采用了先进的平面技术,具备优异的雪崩能量承受能力,使其在过压或瞬态条件下具有更高的可靠性。TO-263 封装提供了良好的热性能,确保在高功率应用中稳定运行。
这款器件还具备快速开关能力,降低了开关损耗,并且适用于高频操作。其栅极驱动特性较为简单,可通过标准的 PWM 控制器进行驱动,非常适合用于 DC-DC 转换器、电机控制、电源管理和照明系统等应用。MPC17A50VMEL 还具有较高的耐用性和抗干扰能力,能够在恶劣环境下稳定工作。
MPC17A50VMEL 常用于工业电源系统、电机驱动器、LED 照明控制器、电源管理模块以及各种高电压功率转换设备。由于其高耐压和高电流能力,该器件在开关电源(SMPS)、逆变器、不间断电源(UPS)和电动工具中也得到了广泛应用。此外,在汽车电子领域,如车载充电器和电池管理系统中,MPC17A50VMEL 也能提供稳定的功率控制解决方案。
MPC17A50VMEL 的替代型号包括 IRF540N、STP17NM50 和 FDPF17N50。这些型号在电气参数和封装形式上与 MPC17A50VMEL 相似,可作为备选方案用于不同的应用环境。