时间：2025/9/3 15:35:07
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MPC17A50VMEL 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电压和高功率应用设计。该器件适用于各种工业和汽车电子系统，能够提供高效的电源管理与功率开关功能。其封装形式为 TO-263，便于散热，适合高电流负载的场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：17A
工作温度范围：-55°C至150°C
导通电阻（Rds(on)）：0.38Ω @ Vgs=10V
功率耗散（Ptot）：200W
MPC17A50VMEL 具备低导通电阻特性，使得在导通状态下的功率损耗更低，从而提高了系统的整体效率。此外，该 MOSFET 采用了先进的平面技术，具备优异的雪崩能量承受能力，使其在过压或瞬态条件下具有更高的可靠性。TO-263 封装提供了良好的热性能，确保在高功率应用中稳定运行。
这款器件还具备快速开关能力，降低了开关损耗，并且适用于高频操作。其栅极驱动特性较为简单，可通过标准的 PWM 控制器进行驱动，非常适合用于 DC-DC 转换器、电机控制、电源管理和照明系统等应用。MPC17A50VMEL 还具有较高的耐用性和抗干扰能力，能够在恶劣环境下稳定工作。
MPC17A50VMEL 常用于工业电源系统、电机驱动器、LED 照明控制器、电源管理模块以及各种高电压功率转换设备。由于其高耐压和高电流能力，该器件在开关电源（SMPS）、逆变器、不间断电源（UPS）和电动工具中也得到了广泛应用。此外，在汽车电子领域，如车载充电器和电池管理系统中，MPC17A50VMEL 也能提供稳定的功率控制解决方案。
MPC17A50VMEL 的替代型号包括 IRF540N、STP17NM50 和 FDPF17N50。这些型号在电气参数和封装形式上与 MPC17A50VMEL 相似，可作为备选方案用于不同的应用环境。
