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MPC17A38Z 发布时间 时间:2025/9/3 11:41:09 查看 阅读:5

MPC17A38Z 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用,适用于 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场合。MPC17A38Z 采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,有助于提高系统效率并减少功率损耗。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):30 V
  最大栅源电压(Vgs):20 V
  最大漏极电流(Id):6.5 A
  导通电阻(Rds(on)):26 mΩ @ Vgs=10V
  导通电阻(Rds(on)):38 mΩ @ Vgs=4.5V
  功率耗散(Pd):2.5 W
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:TSOP

特性

MPC17A38Z 的主要特性之一是其低导通电阻,这使得在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗。其 Rds(on) 在 Vgs=10V 时为 26mΩ,在 Vgs=4.5V 时为 38mΩ,表现出良好的电压控制性能。此外,该 MOSFET 具有较高的电流承载能力,额定漏极电流可达 6.5A,适用于中等功率应用。
  该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,提升了开关速度和效率,适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器。同时,MPC17A38Z 的栅极电荷(Qg)较低,有助于减少开关损耗,提高系统的整体效率。
  在封装方面,MPC17A38Z 采用 TSOP(Thin Small Outline Package)封装,体积小巧,适合高密度 PCB 设计,并具有良好的热性能。该封装形式有助于提高散热效率,确保在高负载条件下稳定运行。
  此外,MPC17A38Z 具有宽泛的工作温度范围(-55°C 至 150°C),适用于各种工业和消费类应用,具备良好的环境适应性。

应用

MPC17A38Z 主要应用于需要高效开关性能的电子系统中,例如同步整流器、DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关和电机控制电路。其低导通电阻和高电流能力使其特别适合用于笔记本电脑、移动电源、智能电表和工业自动化设备中的电源管理模块。
  在 DC-DC 转换器中,MPC17A38Z 可作为主开关或同步整流器使用,帮助提高转换效率并减少发热。在负载开关应用中,该器件可用于控制电源的通断,实现快速响应和低功耗操作。此外,该 MOSFET 还可用于 LED 照明驱动、电源管理 IC(PMIC)外围电路以及各类便携式电子设备的电源控制模块。

替代型号

Si2302DS, IRF7309, FDS6675, NTD14N03R2G

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