MPC17A38Z 时间：2025/9/3 11:41:09 阅读：19

MPC17A38Z 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用，适用于 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场合。MPC17A38Z 采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，有助于提高系统效率并减少功率损耗。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30 V
　　最大栅源电压（Vgs）：20 V
　　最大漏极电流（Id）：6.5 A
　　导通电阻（Rds(on)）：26 mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：38 mΩ @ Vgs=4.5V
　　功率耗散（Pd）：2.5 W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TSOP

特性

MPC17A38Z 的主要特性之一是其低导通电阻，这使得在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗。其 Rds(on) 在 Vgs=10V 时为 26mΩ，在 Vgs=4.5V 时为 38mΩ，表现出良好的电压控制性能。此外，该 MOSFET 具有较高的电流承载能力，额定漏极电流可达 6.5A，适用于中等功率应用。
　　该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，提升了开关速度和效率，适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器。同时，MPC17A38Z 的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高系统的整体效率。
　　在封装方面，MPC17A38Z 采用 TSOP（Thin Small Outline Package）封装，体积小巧，适合高密度 PCB 设计，并具有良好的热性能。该封装形式有助于提高散热效率，确保在高负载条件下稳定运行。
　　此外，MPC17A38Z 具有宽泛的工作温度范围（-55°C 至 150°C），适用于各种工业和消费类应用，具备良好的环境适应性。

应用

MPC17A38Z 主要应用于需要高效开关性能的电子系统中，例如同步整流器、DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关和电机控制电路。其低导通电阻和高电流能力使其特别适合用于笔记本电脑、移动电源、智能电表和工业自动化设备中的电源管理模块。
　　在 DC-DC 转换器中，MPC17A38Z 可作为主开关或同步整流器使用，帮助提高转换效率并减少发热。在负载开关应用中，该器件可用于控制电源的通断，实现快速响应和低功耗操作。此外，该 MOSFET 还可用于 LED 照明驱动、电源管理 IC（PMIC）外围电路以及各类便携式电子设备的电源控制模块。