类型：MOS FET继电器（双向）
　　输出形式：双MOSFET（背对背连接）
　　最大负载电压（VOFF）：60V
　　连续通态电流（IO）：1.2A
　　峰值通态电流（IOP）：3.6A
　　导通电阻（RON）：典型值80mΩ，最大值120mΩ
　　输入LED正向电流（IF）：20mA
　　输入LED反向电压（VR）：5V
　　输出电容（COFF）：典型值120pF
　　隔离电压（Viso）：5000Vrms
　　工作温度范围：-30°C 至 +85°C
　　封装形式：P-DIP4（表面贴装）
　　触发方式：直流输入驱动LED光源激活MOSFET导通

G3VM-S5的核心特性在于其采用光控MOSFET技术实现无触点开关功能，这使得它在寿命和可靠性方面远超传统电磁继电器。由于没有机械部件，因此不存在触点烧蚀、弹跳或磨损问题，理论上可实现无限次开关操作，尤其适合高频切换应用。其导通电阻极低（典型值仅为80mΩ），意味着在导通状态下功耗非常小，发热少，有助于提高系统能效并减少散热设计负担。同时，低RON也保证了即使在较大电流下也能保持较小的电压降，提升了电源传输效率。
　　该器件具备出色的电气隔离能力，输入与输出之间可承受高达5000Vrms的隔离电压，符合国际安全标准，适用于需要强电与弱电隔离的场合，如工业PLC模块、电源控制系统等。此外，G3VM-S5的输入端仅需20mA的LED驱动电流即可可靠触发，可直接由微处理器I/O口或逻辑门电路驱动，无需外加驱动晶体管或缓冲器，极大简化了外围电路设计。
　　G3VM-S5采用P-DIP4表面贴装封装，体积小巧，便于自动化贴片生产，适合现代电子产品小型化、高集成度的发展趋势。其双向输出结构允许交流或直流负载控制，灵活性高。器件还具有较低的输出电容（典型值120pF），有利于减少信号延迟和串扰，在模拟信号切换或多路复用系统中表现优异。另外，由于其固态结构，工作时无噪音、无火花，适用于防爆环境或对EMI敏感的应用场景。

G3VM-S5广泛应用于需要高可靠性、小体积和长寿命开关功能的电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC输出模块、传感器信号切换、气动/液压阀控制以及小型电机启停控制。在测试与测量设备中，可用于自动测试系统（ATE）中的信号路由、多路复用器开关或负载切换单元，得益于其低导通电阻和低泄漏电流，能够保证测量精度不受影响。
　　在通信设备中，G3VM-S5可用于电源管理模块中的负载通断控制，或作为备用电源切换开关。其快速响应特性和无触点设计使其非常适合用于电池供电系统或便携式医疗设备中的电源管理，例如心电图机、血糖仪、呼吸机等，确保患者安全的同时提升设备稳定性。
　　此外，该器件也适用于消费类电子产品中的静音开关需求，如高端音响系统的音频通道切换，避免传统继电器动作时产生的“咔哒”声。在安防系统中，可用于摄像头电源控制、报警回路通断等场景。由于其支持交直流负载，也可用于照明控制系统，特别是LED调光或智能照明网络中作为本地开关节点。总之，凡是对开关寿命、噪声、尺寸和可靠性有较高要求的应用，G3VM-S5都是一个理想的选择。

G3VM-61VY\G3VM-61VX\TLP3545