MP4020Z 时间：2025/8/19 19:21:03 阅读：28

MP4020Z是一款高性能、低功耗的双路N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电源、负载开关以及电机驱动等场景。该器件采用先进的工艺制造，具备优异的导通电阻和开关性能，适合需要高效能和高可靠性的应用。MP4020Z采用SOP8或DFN等小型封装，适用于空间受限的电路设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：4A（单路）
　　导通电阻（RDS(on)）：20mΩ（典型值，@VGS=4.5V）
　　功率耗散：1.4W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOP8/DFN

特性

MP4020Z具备出色的导通性能和低导通电阻，确保在高电流应用中保持较低的功率损耗。
　　其双路MOSFET结构允许独立控制两个通道，提高设计灵活性。
　　该器件具有良好的热稳定性和高可靠性，适合在高温环境下运行。
　　此外，MP4020Z具备快速开关能力，有助于提高系统效率并减少开关损耗。
　　由于其低栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），MP4020Z适用于高频开关应用。
　　整体设计优化，支持紧凑型PCB布局，并减少外围元件数量。
　　MP4020Z还具备较强的抗静电能力和过载保护性能，确保长期稳定运行。