工作电压范围：10V 至 20V
　　输出驱动电流：高端和低端均为1.2A（峰值）
　　传播延迟：典型值110ns
　　上升/下降时间：典型值30ns（1nF负载）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：SO-20（表面贴装）
　　最大功耗：1.25W
　　输入逻辑类型：TTL/CMOS兼容
　　输出配置：半桥（High-Side + Low-Side）

MP356M采用高边浮动电源供电技术，支持高达600V的电压应用，使其适用于高电压功率转换系统。其内部集成的死区时间控制和欠压锁定（UVLO）功能可有效防止直通（shoot-through）现象并保护功率器件。该器件还具备过热保护功能，防止因过载或高温导致的损坏。MP356M的驱动输出具有高灌电流和拉电流能力，确保功率MOSFET能够快速开关，从而降低开关损耗并提高系统效率。此外，MP356M的输入端兼容TTL和CMOS电平，使其可以方便地与各种控制器（如微控制器或PWM控制器）连接。该芯片的封装采用小型SO-20表面贴装形式，便于PCB布局和自动化生产。
　　在可靠性方面，MP356M内置的自举二极管简化了高边驱动电路的设计，并减少了外部元件数量。其高抗噪能力和输入端的施密特触发器设计提升了在恶劣工业环境中的稳定性。MP356M适用于多种功率变换系统，如DC-AC逆变器、DC-DC转换器、马达驱动器以及工业自动化设备中的功率开关控制。

MP356M广泛应用于工业电机控制、电动车驱动系统、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、焊接设备、感应加热器和高频功率转换器等领域。它也常用于各种电力电子系统中的半桥或全桥功率拓扑结构中。

IR2113、L6385E、TC4429、HIP4080、NCP5103