H5TQ1G63DFR-H9C 时间：2025/9/2 11:54:27 阅读：24

H5TQ1G63DFR-H9C 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于移动DRAM类别，主要用于便携式电子设备，如智能手机、平板电脑和嵌入式系统。该型号为LPDDR3（低功耗双倍数据速率第3代）类型的DRAM，具备高存储密度和低功耗特性，适用于对能效要求较高的移动设备。

参数

容量：1Gb（128MB）
　　类型：LPDDR3 SDRAM
　　封装：FBGA
　　数据速率：400MHz / 800Mbps
　　工作电压：1.2V / 1.8V（核心电压/IO电压）
　　数据总线宽度：x16
　　时钟频率：400MHz
　　温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　封装尺寸：108-ball FBGA

特性

H5TQ1G63DFR-H9C 是一款高性能、低功耗的移动DRAM芯片，专为便携式设备优化。该芯片采用了LPDDR3接口技术，支持双倍数据速率传输，使数据带宽显著提升，同时降低了功耗。其1.2V核心电压和1.8V I/O电压的双电源设计，使其在高性能运行时仍能保持较低的能耗，延长了设备的电池续航时间。
　　此外，该芯片支持自动刷新和自刷新功能，确保数据在断电情况下仍能保持稳定。其FBGA（细间距球栅阵列）封装方式提供了良好的电气性能和散热能力，适合在高密度PCB布局中使用。该器件符合RoHS环保标准，适用于各种移动终端和嵌入式系统应用。
　　在时序控制方面，H5TQ1G63DFR-H9C支持多种延迟设置和突发长度配置，便于系统开发者根据具体需求进行优化。其高速数据速率和稳定的时钟同步机制确保了在高负载下的可靠数据传输。

应用

H5TQ1G63DFR-H9C 广泛应用于各类移动设备和嵌入式系统，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备、车载导航系统、工业控制设备等。由于其低功耗和高性能的特性，特别适合需要高能效比的场景。在移动终端中，它可作为主内存用于操作系统、应用程序和图形数据的临时存储。在嵌入式系统中，该芯片可用于数据缓存和实时处理任务，提升系统的响应速度和稳定性。此外，该芯片也适用于一些需要中等容量内存的消费类电子产品，如电子书阅读器、智能电视和网络设备。