时间：2025/6/14 10:46:27
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MOT7N65F是一款由ON Semiconductor（安森美）公司生产的高压功率场效应晶体管（MOSFET）。它属于N沟道增强型MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效能开关的电路中。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关性能的特点，适用于高电压环境下的功率转换应用。
其额定耐压为650V，最大持续漏极电流为7A（在特定条件下），并且具备良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压：650V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：7A
导通电阻（Rds(on)）：1.4Ω（典型值，在Vgs=10V时）
输入电容：940pF
总功耗：130W
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
MOT7N65F的主要特性包括：
1. 高击穿电压（650V），适合高压应用场合。
2. 低导通电阻（1.4Ω），减少传导损耗，提高效率。
3. 快速开关速度，有助于降低开关损耗。
4. 良好的热稳定性，能够承受较高的工作温度。
5. 封装为标准TO-220，易于安装和散热设计。
6. 提供出色的雪崩能力，增强器件的鲁棒性。
7. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
MOT7N65F适用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），如AC/DC适配器和充电器。
2. 工业电机驱动和控制电路。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率转换。
4. 各类电力电子设备中的负载切换。
5. UPS（不间断电源）系统中的关键开关元件。
6. LED驱动器及其它需要高效功率管理的应用场景。
IRF740C,
STP7NC60,
FDP7N65,
IXTH7N65L,
2SD1458
