制造商：Mosemi Corporation
　　产品类型：PIN 二极管
　　工作频率范围：DC 至 6 GHz
　　最大正向电流：100 mA
　　反向击穿电压：70 V
　　电容（偏置电压 5V, 频率 1MHz）：0.45 pF
　　串联电阻（IF = 10 mA）：1.2 Ω
　　热时间常数：300 ns
　　封装类型：SOD-323
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C

MOS-868-119+ 的核心特性在于其优化的射频开关性能，尤其是在高频段下的低插入损耗和高隔离度表现突出。该器件采用高质量的硅基 PIN 结构，使得其在 RF 开关电路中能够实现快速的开关响应时间和稳定的阻抗匹配。其典型的零偏置电容仅为 0.45 pF，在高频应用中可显著降低信号衰减，提升整体系统效率。同时，该器件的串联电阻低至 1.2 Ω（在 10 mA 正向电流下），有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统的能效。
　　另一个重要特性是其出色的线性度，三阶交调点（IP3）高达 +60 dBm，确保在多载波环境中不会引入明显的互调失真，这对于现代通信系统中对信号保真度要求较高的场景至关重要。此外，该器件具备良好的热稳定性和长期可靠性，能够在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内正常工作，适用于严苛环境下的工业和车载应用。
　　MOS-868-119+ 还具备较强的抗静电能力，HBM ESD 耐压可达 ±1000V，提升了在生产装配和现场使用过程中的安全性。其 SOD-323 小型封装不仅节省 PCB 空间，还支持自动化贴片工艺，适合大规模生产。该器件无需外部匹配网络即可在 50Ω 系统中良好工作，简化了电路设计流程，降低了开发成本。综上所述，MOS-868-119+ 凭借其优异的射频性能、高可靠性和紧凑封装，成为多种射频开关和衰减电路的理想选择。

MOS-868-119+ 主要应用于需要高性能射频开关功能的电子系统中。在蜂窝通信基础设施中，它被广泛用于基站天线切换、双工器控制和波束成形网络，能够高效地管理多个频段之间的信号路由。在移动终端设备如智能手机和平板电脑中，该器件可用于主分集天线切换、Wi-Fi 与蓝牙共存管理以及多输入多输出（MIMO）系统的天线选择，保障无线连接的稳定性和数据吞吐率。
　　在物联网（IoT）领域，MOS-868-119+ 因其低功耗和小尺寸优势，被集成于各类无线传感器节点和低功耗广域网（LPWAN）模块中，支持 LoRa、NB-IoT 等协议的射频前端设计。此外，该器件也适用于卫星通信终端、GPS 导航系统和无线音频传输设备，提供可靠的信号路径控制。
　　在测试与测量仪器方面，MOS-868-119+ 常用于自动测试设备（ATE）、矢量网络分析仪（VNA）和频谱仪中的内部开关矩阵，实现不同测试通道之间的快速切换，确保测量精度和重复性。其高线性度和低互调特性特别适合用于高动态范围测试环境。此外，该器件还可用于雷达系统、无人机通信链路和军事通信设备中，承担关键的射频信号调控任务。由于其宽频带响应能力和环境适应性强，MOS-868-119+ 已成为现代射频系统中不可或缺的基础元件之一。

MMDA119, PMBT119, BAP69-02