工作频率范围：2 MHz 至 400 MHz
　　本振（LO）频率范围：17 MHz 至 400 MHz
　　射频（RF）输入频率范围：2 MHz 至 400 MHz
　　中频（IF）输出频率范围：DC 至 500 MHz
　　转换损耗：典型值 6.5 dB
　　输入 P1dB 压缩点：+17 dBm
　　三阶交调截距（IIP3）：+22 dBm
　　本振驱动电平：+7 dBm 至 +17 dBm
　　封装类型：14 引脚表面贴装（SMD）
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C

MOS-1890-119+ 是一款高性能的无源射频混频器，适用于多种射频系统设计。其宽频带特性使其能够在 2 MHz 到 400 MHz 的频率范围内稳定工作，非常适合用于多频段或多用途的射频接收机和发射机。该混频器采用 GaAs 工艺制造，具有较高的线性度和良好的动态范围，能够处理高电平的射频信号而不产生明显的失真。其典型的转换损耗为 6.5 dB，在系统设计中提供了良好的信号转换效率。此外，该混频器的输入 P1dB 压缩点高达 +17 dBm，三阶交调截距（IIP3）为 +22 dBm，表明其具备优异的抗干扰能力和高信号保真度。
　　该器件采用 14 引脚表面贴装封装，便于在现代射频 PCB 设计中进行自动化组装。其工作温度范围为 -55°C 至 +85°C，适用于各种严苛环境下的应用，如航空航天、工业控制和通信基础设施等。MOS-1890-119+ 不需要外部直流电源供电，因为它是一个无源器件，这在某些系统设计中可以简化电源管理电路并提高整体系统的可靠性。

MOS-1890-119+ 混频器广泛应用于射频和微波通信系统中，包括软件定义无线电（SDR）、无线基站、频谱分析仪、信号发生器、测试测量设备和工业控制系统等。其宽频带特性使其成为多频段通信系统中的理想选择。在无线通信设备中，它可以用于将射频信号转换为中频信号以便于后续处理，或用于上变频将中频信号转换为射频信号进行发射。在测试设备中，该混频器可用于频率转换，以便在不同的频率范围内进行精确测量。此外，该器件也适用于需要高线性度和低失真的射频前端设计，如雷达、卫星通信和高频数据传输系统等。

MOS-1890-119+