类型：光耦合器
　　电流传输比（CTR）：50%至600%（取决于测试条件）
　　正向电流（IF）：最大60mA
　　集电极-发射极电压（Vce）：最大30V
　　工作温度范围：-55°C至+110°C
　　封装类型：DIP-4
　　绝缘电压：5000Vrms
　　响应时间：约3μs（典型值）

MOCH2B具有良好的电隔离性能，其绝缘电压可达5000Vrms，适用于需要高安全等级的电路设计。该光耦的电流传输比（CTR）范围较宽，通常在50%至600%之间，使其能够在多种驱动条件下保持稳定的工作性能。MOCH2B采用DIP-4封装，便于插件安装和散热管理，适合在工业环境中使用。此外，该器件具有较宽的工作温度范围（-55°C至+110°C），可适应恶劣的环境条件。其响应时间约为3μs，适用于中高速信号隔离应用，如PLC输入/输出隔离、电源反馈控制以及通信接口的电平转换。
　　MOCH2B的LED部分通常由低电压电路驱动，而光电晶体管部分则可连接到较高电压的电路，从而实现有效的电气隔离。这种结构不仅提高了系统的安全性，还能有效抑制电磁干扰（EMI）和射频干扰（RFI）。此外，MOCH2B的长期稳定性和可靠性也使其成为工业自动化、电机控制和开关电源等领域中常用的光耦器件。

MOCH2B广泛应用于需要电气隔离的电子系统中，如工业自动化控制系统、可编程逻辑控制器（PLC）、电机驱动器、交流/直流电源转换器、测量仪器以及通信设备。在这些应用中，MOCH2B用于隔离低压控制电路与高压功率电路，防止高压侧对控制电路造成干扰或损坏。此外，MOCH2B也可用于数字信号隔离、继电器驱动电路以及传感器信号传输中的电平转换环节。

PC817, TLP521, 4N35