时间：2025/8/30 14:33:23
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MNU18-187DFIK 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换应用。该器件采用先进的沟槽栅极和电场缓冲技术，提供较低的导通电阻和高效的开关性能。MNU18-187DFIK属于N沟道MOSFET类别，适用于需要高电流和高效率的工业、汽车和消费类电子产品。
类型：N沟道
最大漏源电压(VDS)：180V
最大漏极电流(ID)：18A
导通电阻(RDS(on))：0.125Ω @ VGS=10V
栅极电荷(Qg)：34nC
最大功耗(PD)：125W
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C 至 150°C
MNU18-187DFIK具备多项优异的电气和物理特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）能够显著降低导通损耗，提高系统的整体能效。其次，该MOSFET支持较高的漏极电流（18A），适合需要大电流处理能力的应用场景。此外，该器件具有较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，提高了设备的可靠性和耐用性。
在封装方面，MNU18-187DFIK采用标准的TO-220封装形式，便于安装和散热管理，适用于各种通用和高功率密度设计。其栅极驱动电压在10V时即可实现完全导通，这使得它与常见的栅极驱动器兼容性良好，减少了外围电路设计的复杂度。
此MOSFET还具备出色的开关特性，其低栅极电荷（Qg）和低输出电容（COSS）有助于减少开关过程中的能量损耗，从而提升开关频率和系统效率。这些特性使其非常适合用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理、电池充电器和负载开关等应用。
MNU18-187DFIK广泛应用于多个领域。在工业控制领域，它常用于电机驱动、变频器和伺服控制系统中的功率开关。在汽车电子方面，该MOSFET可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块等。此外，它也适用于消费类电子产品中的电源管理和负载切换，例如电视、音响设备和家用电器中的电源模块。在可再生能源领域，如太阳能逆变器和风力发电系统中，该MOSFET也可作为功率转换的核心元件。
STD18NF18T4, STD18NF18, FDP18N18A
