时间：2025/7/2 17:02:31
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RF15N3R5B500CT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高频率射频功率晶体管，适用于高频通信、雷达系统以及卫星通信等领域。该器件采用了先进的GaN-on-SiC工艺，具有高效率、高增益和高功率密度的特点，适合于工作在S波段及以上的应用环境。
其设计优化了热性能和电气性能，从而能够承受更高的输出功率，并保持较低的功耗。
最大漏源电压：150V
连续波输出功率：50W
峰值脉冲功率：100W
工作频率范围：3.4GHz 至 3.6GHz
增益：12dB
封装形式：陶瓷气密封装
静态功耗：待定
结温范围：-55°C 至 +175°C
RF15N3R5B500CT 具有以下显著特点：
1. 高功率密度：得益于GaN材料的独特性质，这款晶体管能够在更小的芯片面积内提供更高的输出功率。
2. 高效率：在典型的工作条件下，该晶体管可以实现超过70%的功率附加效率（PAE）。
3. 宽带操作：其设计允许在较宽的频率范围内高效运行，减少了对额外匹配网络的需求。
4. 良好的线性度：通过优化内部结构，RF15N3R5B500CT在高功率输出时仍能保持较低的互调失真水平。
5. 优秀的热管理能力：采用高效的散热路径设计，确保即使在高负载下也能维持稳定的工作状态。
这款晶体管主要应用于以下领域：
1. 军事雷达系统：由于其高功率和高频特性，非常适合用于相控阵雷达等需要高精度探测的应用。
2. 卫星通信：可用于上行链路放大器，提升信号传输距离与质量。
3. 无线基础设施：如5G基站中的功率放大器模块，支持大规模MIMO天线阵列。
4. 医疗成像设备：例如超声波仪器中的发射部分，要求快速开关特性和精确控制。
RF15N3R5B400CT
RF15N3R5B600CT
