RF15N3R5B500CT 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高频率射频功率晶体管,适用于高频通信、雷达系统以及卫星通信等领域。该器件采用了先进的GaN-on-SiC工艺,具有高效率、高增益和高功率密度的特点,适合于工作在S波段及以上的应用环境。
其设计优化了热性能和电气性能,从而能够承受更高的输出功率,并保持较低的功耗。
最大漏源电压:150V
连续波输出功率:50W
峰值脉冲功率:100W
工作频率范围:3.4GHz 至 3.6GHz
增益:12dB
封装形式:陶瓷气密封装
静态功耗:待定
结温范围:-55°C 至 +175°C
RF15N3R5B500CT 具有以下显著特点:
1. 高功率密度:得益于GaN材料的独特性质,这款晶体管能够在更小的芯片面积内提供更高的输出功率。
2. 高效率:在典型的工作条件下,该晶体管可以实现超过70%的功率附加效率(PAE)。
3. 宽带操作:其设计允许在较宽的频率范围内高效运行,减少了对额外匹配网络的需求。
4. 良好的线性度:通过优化内部结构,RF15N3R5B500CT在高功率输出时仍能保持较低的互调失真水平。
5. 优秀的热管理能力:采用高效的散热路径设计,确保即使在高负载下也能维持稳定的工作状态。
这款晶体管主要应用于以下领域:
1. 军事雷达系统:由于其高功率和高频特性,非常适合用于相控阵雷达等需要高精度探测的应用。
2. 卫星通信:可用于上行链路放大器,提升信号传输距离与质量。
3. 无线基础设施:如5G基站中的功率放大器模块,支持大规模MIMO天线阵列。
4. 医疗成像设备:例如超声波仪器中的发射部分,要求快速开关特性和精确控制。
RF15N3R5B400CT
RF15N3R5B600CT