产品类型：肖特基势垒二极管阵列
　　封装/外壳：SOT-23
　　配置：双二极管，共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：40V
　　平均整流电流（IO）：300mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：1.25A
　　最大正向电压（VF）：500mV @ 150mA
　　最大反向漏电流（IR）：400μA @ 40V, 25°C
　　工作结温范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　反向恢复时间（trr）：典型值 < 4ns
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：3

MNA6+ 肖特基二极管阵列具备出色的电学与热学综合性能，特别适用于需要高效能、小尺寸和高可靠性的现代电子系统。其核心优势之一是低正向导通压降（VF），在150mA的工作电流下典型值仅为500mV，显著低于传统PN结二极管（通常为700mV以上）。这一特性直接降低了导通损耗，提高了电源转换效率，尤其在低电压、大电流输出的DC-DC变换器中效果明显。同时，由于肖特基势垒机制不依赖少数载流子的复合过程，因此不存在电荷存储效应，从而实现了极短的反向恢复时间（trr < 4ns），避免了开关过程中因反向恢复引起的能量损耗和电压尖峰问题，有助于提升系统效率并降低EMI辐射。
　　该器件采用共阴极双二极管结构，允许在同步整流拓扑中作为续流和主整流路径使用，也可用于构建精密整流电路或逻辑电平移位功能。SOT-23封装不仅体积小巧，还具备良好的散热能力，配合PCB上的适当铜箔面积设计，可在有限空间内实现有效的热管理。MNA6+ 具有较高的反向耐压能力（40V），适用于12V至24V系统中的整流与隔离应用，例如USB供电模块、LED驱动电源和工业控制接口电路。
　　在环境适应性方面，MNA6+ 支持宽泛的工作结温范围（-55°C ~ +125°C），能够在极端温度条件下稳定运行，适合汽车电子、户外通信设备等严苛应用场景。其反向漏电流在常温下保持在较低水平（400μA @ 40V），但随着温度升高会有所增加，因此在高温环境中使用时建议采取适当的降额措施以延长寿命。此外，该器件具备优良的抗静电能力，可承受一定程度的ESD冲击，增强了在自动化装配过程中的鲁棒性。整体而言，MNA6+ 凭借其高性能参数、小型化封装和高可靠性，成为众多中低功率电源与信号处理方案中的理想选择。

MNA6+ 肖特基二极管阵列广泛应用于多种中低功率电子系统中，尤其是在对效率、尺寸和响应速度有较高要求的场合。一个典型的应用是在DC-DC升压或降压转换器中作为续流二极管或同步整流元件，利用其低正向压降和快速恢复特性来提高整体转换效率，减少发热，延长电池续航时间，常见于移动设备如智能手机、可穿戴设备和便携式仪器中。
　　在电池充电管理电路中，MNA6+ 可用于防止电池反向放电或实现多电源路径选择，确保系统在主电源断开时仍能平稳运行。此外，它也常用于电压钳位和瞬态抑制电路，保护敏感IC免受电压过冲或反接损害，例如在USB接口、RS-232通信线路或传感器输入端添加保护网络。
　　在信号处理领域，MNA6+ 可构成精密整流器或峰值检波电路，用于交流信号检测与调理，适用于音频处理、感应式接近开关和能量采集系统。其快速响应能力使其能够准确捕捉高频信号包络，提升测量精度。
　　工业控制和自动化设备中，MNA6+ 被用于继电器驱动电路中的反激电压吸收，防止感性负载断开时产生的高压损坏晶体管或MCU I/O口。同时，在LED照明驱动电源中，它可作为次级侧整流元件，优化光效并降低系统温升。
　　另外，由于其符合RoHS标准且为无铅产品，MNA6+ 非常适合出口型电子产品和绿色环保项目，满足全球市场的合规要求。

MBR0540T1G
　　RB520S-40T1G
　　BAS40-04W
　　PMDS3040EH