时间：2025/5/22 2:23:01
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GP50G是一种高频功率晶体管，主要用于射频和微波应用。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有高增益、低噪声和良好的线性度等特性，适用于无线通信、雷达系统以及其他需要高性能射频放大的场景。
GP50G的封装形式通常为金属壳体或表面贴装形式，以适应不同的安装需求和环境条件。其优异的电气性能使其成为许多专业射频设备的理想选择。
最大集电极电流：1.2A
最大集电极功耗：30W
最高工作频率：5GHz
增益：20dB
噪声系数：2dB
集电极-发射极击穿电压：80V
特征频率(fT)：6GHz
GP50G具有以下显著特性：
1. 高频性能优越，能够在高达5GHz的工作频率下稳定运行。
2. 低噪声系数（2dB），在射频信号放大中可有效减少信号失真。
3. 高增益设计，典型增益达到20dB，确保信号强度的有效提升。
4. 具有较高的集电极功耗（30W），能够支持大功率射频应用。
5. 稳定性良好，即使在恶劣环境下也能保持可靠性能。
6. 封装坚固耐用，适合各种工业应用场景。
GP50G广泛应用于以下领域：
1. 射频功率放大器设计，特别是在无线通信基站和卫星通信设备中。
2. 雷达系统中的信号发射与接收模块。
3. 测试测量设备，如网络分析仪和频谱分析仪。
4. 医疗成像设备中的射频驱动电路。
5. 工业、科学和医疗（ISM）频段设备的功率放大模块。
6. 业余无线电爱好者制作的高性能射频发射机和接收机。
MOSFET-50G, RF50GHZ
