MN8-516RK 是一款由 IXYS 公司生产的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)功率晶体管,适用于高功率和高频应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,使其成为工业电源、电机控制、DC-DC 转换器和逆变器等应用的理想选择。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):600V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):16A(Tc=25℃)
功耗(Pd):200W
导通电阻(Rds(on)):0.32Ω(最大值)
工作温度范围:-55℃~150℃
封装形式:TO-247AC
MN8-516RK 的核心优势在于其卓越的电性能和热管理能力。该器件采用了先进的平面技术,提供了优异的导通和开关性能,从而降低了系统损耗。其低导通电阻减少了导通状态下的功率损耗,提高了整体效率。此外,MN8-516RK 具有较高的雪崩能量承受能力,增强了器件在高压尖峰环境中的稳定性。该MOSFET还具备良好的抗短路能力和高温工作能力,适用于苛刻的工作环境。TO-247AC 封装形式不仅便于安装和散热,还能在高功率密度应用中提供稳定的机械支撑。
MN8-516RK 被广泛应用于各种电力电子系统中,包括工业电源、不间断电源(UPS)、电动车辆充电系统、太阳能逆变器、电机驱动器以及DC-DC转换器等。其高耐压和大电流能力使其在需要高效率和高可靠性的电源管理方案中表现出色。
IXFH16N60P、IXFN16N60Q、STP16NF60、FQA16N60C、FDPF16N60