MN7E007P5B 时间：2025/6/25 8:45:31 阅读：9

MN7E007P5B是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET。它主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，适合用于需要高效能和小尺寸解决方案的应用环境。
　　这款MOSFET采用了TO-263（D2PAK）封装形式，能够有效地散发热量，同时保持较高的电气性能。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：40A
　　导通电阻：1.8mΩ
　　栅极电荷：12nC
　　输入电容：2580pF
　　总功耗：170W
　　工作温度范围：-55℃至175℃

特性

MN7E007P5B具有非常低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
　　其高击穿电压确保了在高压应用中的可靠性。
　　快速的开关速度降低了开关损耗，并允许更高的工作频率，从而减小了整体系统的尺寸和成本。
　　此外，该器件的热稳定性良好，在极端温度条件下也能保持稳定的性能表现。
　　采用的TO-263封装提供了一个坚固的结构设计，适合表面贴装工艺，简化了生产和装配过程。

应用

MN7E007P5B广泛应用于各种工业和消费类电子产品中，包括但不限于：
　　1. 开关模式电源（SMPS）
　　2. DC-DC转换器
　　3. 电机控制与驱动
　　4. 汽车电子系统中的负载切换
　　5. 工业自动化设备中的功率管理
　　6. 笔记本电脑适配器和充电器
　　由于其优异的性能和可靠性，该MOSFET特别适用于对效率和散热有较高要求的场景。