时间：2025/8/9 13:23:34
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2SK3674-01S是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及各种功率电子设备中。这款MOSFET具有优异的导通和开关性能，适用于需要高效能和低损耗的功率应用。2SK3674-01S采用小型表面贴装封装（SOP），适合高密度电路板设计。其高耐压特性使其能够在较宽的工作电压范围内稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
最大漏极电流（ID）：连续：30A（Tc=25℃）
导通电阻（RDS(ON)）：典型值为7.5mΩ（在VGS=10V时）
封装形式：SOP（表面贴装）
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
最大功率耗散：100W（Tc=25℃）
栅极电荷（Qg）：约70nC
输入电容（Ciss）：约2400pF
2SK3674-01S具有低导通电阻的特点，这使得它在导通状态下能够显著降低功率损耗，提高整体系统效率。该MOSFET的导通电阻典型值为7.5mΩ，在高电流应用中表现出色，可以有效减少发热并提升可靠性。
此外，2SK3674-01S具备较高的最大漏源电压（60V），能够在多种功率电路中提供良好的耐压性能，适用于需要承受较高电压应力的应用场景。
该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于提高开关速度，减少开关过程中的能量损耗。这在高频开关应用中尤为重要，可以有效提升系统的动态响应和整体效率。
2SK3674-01S采用SOP封装，具有良好的热性能和机械稳定性，适合在紧凑型电路设计中使用。该封装形式也便于自动化生产和表面贴装工艺的应用，提高制造效率和良品率。
2SK3674-01S广泛应用于各种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备等。由于其高效率和低导通电阻的特性，该MOSFET特别适用于需要高电流和低损耗的电源转换系统。
在开关电源中，2SK3674-01S可用作主开关元件，负责将输入的直流电压转换为高频交流信号，以便通过变压器进行电压变换。其快速开关特性和低导通电阻能够显著提高电源转换效率，降低能耗。
在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为同步整流器使用，替代传统的肖特基二极管，以减少导通损耗并提高整体转换效率。这种应用在高电流、低电压输出的电源系统中尤为常见。
此外，2SK3674-01S还可用于电机驱动电路中，作为功率开关控制电机的启停和方向。其高耐压和大电流能力使其能够承受电机负载变化带来的电压和电流冲击，确保系统的稳定运行。
SiHF60N30EF、IRFZ44N、NTD60N03R、FDMS86180
