时间：2025/8/9 5:14:42
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2SK1087-MR 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，广泛用于需要高效开关和高电流能力的电源管理系统中。该器件采用先进的平面条纹结构和工艺技术，提供优异的导通特性和热稳定性。适用于高频率开关应用，如DC-DC转换器、电机驱动器和电池充电器等。
类型：N沟道
漏极电流（ID）：最大 60A
漏源电压（VDS）：最大 100V
栅源电压（VGS）：最大 ±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大 0.018Ω（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：最大 150W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-220
栅极电荷（Qg）：约 45nC
2SK1087-MR MOSFET具有多种卓越的电气和热性能。首先，它的低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了电源转换效率。其次，该器件支持高达60A的漏极电流，适合高功率应用。此外，其耐压能力达到100V，可适用于中高压电源转换场景。该器件的封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，有助于在高负载条件下维持稳定工作。
在开关特性方面，2SK1087-MR具有较低的栅极电荷（Qg），使开关速度更快，减少了开关损耗，适用于高频开关电路。此外，其栅源电压范围宽达±20V，允许使用更高的驱动电压以进一步降低RDS(on)，同时具备较强的抗过压能力。
这款MOSFET还具有良好的热稳定性，工作温度范围从-55°C到150°C，适用于各种严苛的工业环境。此外，其内部结构优化设计减少了寄生电容，提高了高频响应性能。
2SK1087-MR常用于多种电源管理和功率电子系统中。典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电机控制器、电池充电器和负载开关电路。在这些应用中，该器件能够提供高效能和高可靠性，满足高功率密度和高效率转换的需求。此外，它也适用于工业自动化设备、电源适配器、不间断电源（UPS）以及电动工具和电动车控制器等。
2SK1087-MR 的替代型号包括：IRF1404、Si4410BDY、NTD4858N、FDMS86101、IPB034N10N3G
