时间：2025/7/26 3:25:39
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2N7002-L T/R 是一款常用的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电路、逻辑电平转换、负载控制等场景。该器件采用SOT-23封装形式，具备较小的封装体积和良好的电气性能，适合在表面贴装工艺中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：100mA
漏极-源极电压（VDS）：60V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：5Ω（最大值）
栅极电荷（Qg）：5nC
工作温度范围：-55°C至150°C
2N7002-L T/R具有多个优异的电气和物理特性，使其在多种电子应用中表现良好。首先，其漏极-源极击穿电压为60V，使其能够在较高电压环境下稳定工作，适用于常见的电源管理应用。其次，该器件的栅极-源极电压最大为±20V，具有较高的栅极耐压能力，从而降低了在复杂电路中栅极驱动电路设计的难度。
此外，该MOSFET的导通电阻最大为5Ω，在小电流应用中能够有效降低功耗并减少发热。其栅极电荷为5nC，意味着该器件在高频开关应用中具备较快的响应速度，适用于数字逻辑电路和高速开关电路。SOT-23封装形式使其易于集成在PCB板上，且具有良好的热稳定性和机械强度。
2N7002-L T/R的工作温度范围从-55°C到150°C，使其能够在极端温度条件下正常工作，满足工业级和汽车电子应用的要求。
2N7002-L T/R常用于多种电子设备和系统中，包括但不限于以下应用场景：逻辑电平转换、低边开关控制、LED驱动电路、小型继电器驱动、电源管理电路、便携式电子产品、传感器接口电路以及通用数字开关应用。由于其高耐压特性，该器件也常用于需要与微控制器或数字IC配合使用的场合，作为功率开关元件来控制负载的通断。
在嵌入式系统中，2N7002-L T/R可作为GPIO引脚的扩展开关，用于控制外设模块的供电。在电池供电设备中，该MOSFET可用于实现低功耗模式下的电源切断功能，从而延长电池使用寿命。此外，该器件还适用于工业控制设备中的信号隔离和小型电机驱动电路。
BS170, 2N7000, FDN301N, 2N7002K, 2N7002E
