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LG1124-BO 发布时间 时间:2025/5/31 2:24:09 查看 阅读:10

LG1124-BO是一款高性能的功率MOSFET器件,采用TO-220封装形式。该芯片主要应用于开关电源、电机驱动以及各种需要高效能功率切换的场景中。其设计具备低导通电阻和高耐压的特点,能够有效减少功耗并提升系统效率。
  该芯片基于先进的半导体工艺制造,具有良好的热性能和电气特性,适用于工业级和消费级电子设备。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:1.8mΩ
  总功耗:150W
  工作结温范围:-55℃ to +175℃

特性

1. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗。
  2. 高电流承载能力,适合大功率应用。
  3. 快速开关速度,可有效减少开关损耗。
  4. 良好的热稳定性,确保在高温环境下依然可靠运行。
  5. 内置ESD保护机制,提高抗静电能力。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
  2. 各类电机驱动器,如步进电机、直流无刷电机等。
  3. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制电路。
  4. 逆变器与太阳能发电系统的功率管理。
  5. 汽车电子中的负载切换控制。
  6. 工业自动化设备中的电源管理单元。

替代型号

IRFZ44N
  STP30NF06L
  FDP5500
  IXTH30N06P2

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