LG1124-BO是一款高性能的功率MOSFET器件,采用TO-220封装形式。该芯片主要应用于开关电源、电机驱动以及各种需要高效能功率切换的场景中。其设计具备低导通电阻和高耐压的特点,能够有效减少功耗并提升系统效率。
该芯片基于先进的半导体工艺制造,具有良好的热性能和电气特性,适用于工业级和消费级电子设备。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:30A
导通电阻:1.8mΩ
总功耗:150W
工作结温范围:-55℃ to +175℃
1. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗。
2. 高电流承载能力,适合大功率应用。
3. 快速开关速度,可有效减少开关损耗。
4. 良好的热稳定性,确保在高温环境下依然可靠运行。
5. 内置ESD保护机制,提高抗静电能力。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
2. 各类电机驱动器,如步进电机、直流无刷电机等。
3. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制电路。
4. 逆变器与太阳能发电系统的功率管理。
5. 汽车电子中的负载切换控制。
6. 工业自动化设备中的电源管理单元。
IRFZ44N
STP30NF06L
FDP5500
IXTH30N06P2