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MN102H60KLG1 发布时间 时间:2025/7/18 16:30:16 查看 阅读:4

MN102H60KLG1是由Panasonic生产的一款功率MOSFET晶体管,主要用于高功率开关应用。这款MOSFET具有高效的能效和较低的导通电阻,适用于电源转换、电机控制和照明系统等领域。

参数

类型:功率MOSFET
  最大漏源电压(Vds):600V
  最大漏极电流(Id):2A
  导通电阻(Rds(on)):1.5Ω
  封装类型:TO-92
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  栅极电荷(Qg):7nC
  最大功耗(Pd):25W

特性

MN102H60KLG1具备较低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。其高耐压能力(600V)使其在高压应用中表现出色。此外,该器件的封装形式为TO-92,便于安装和散热管理。该MOSFET还具有快速开关能力,使其适合高频应用。其稳定的性能和高可靠性使其成为工业和消费类电子产品的理想选择。
  此外,该MOSFET在高温环境下依然能保持稳定运行,其热阻较低,有助于提升整体系统稳定性。其栅极驱动设计兼容标准逻辑电平,方便与控制器连接,简化了驱动电路的设计。

应用

MN102H60KLG1常用于电源适配器、DC-DC转换器、LED照明驱动、电机控制模块、工业自动化设备以及家用电器中的功率开关电路。此外,该器件也适用于需要高效能和高稳定性的开关模式电源(SMPS)系统。

替代型号

KSD1047Y, 2SK2545, IRF820, IRF720

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