时间：2025/12/24 11:34:14
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FN15X182K500PNG 是一款高性能的 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），适用于高频开关和功率转换应用。该型号采用先进的封装技术，具备低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能，使其在电源管理、电机驱动和其他工业应用中表现优异。
FN15X182K500PNG 通常用于 DC-DC 转换器、AC-DC 开关电源、电池管理系统、太阳能逆变器等场景。
型号：FN15X182K500PNG
类型：N 沟道增强型 MOSFET
Vds（漏源极击穿电压）：650V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：45mΩ @ Vgs=10V
Id（连续漏极电流）：18A
Qg（栅极电荷）：30nC
Eoss（输出电容能量损失）：70nJ
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 高电压承受能力：该器件具有高达 650V 的漏源极击穿电压，适合高压环境中的应用。
2. 低导通电阻：Rds(on) 典型值为 45mΩ，在高电流条件下减少功率损耗。
3. 快速开关速度：低栅极电荷和输出电容使得 FN15X182K500PNG 在高频应用中表现出色。
4. 热稳定性强：得益于 TO-247 封装设计，该器件具备良好的散热性能。
5. 高可靠性：通过严格的测试流程，确保产品在恶劣条件下的长期稳定运行。
1. 开关电源（SMPS）：
FN15X182K500PNG 广泛应用于 AC-DC 和 DC-DC 开关电源设计中，提供高效的功率转换。
2. 电机驱动：
可用于驱动各类无刷直流电机（BLDC），实现精确的速度和扭矩控制。
3. 电池管理系统（BMS）：
在电动汽车和储能系统中，该 MOSFET 可作为关键组件参与充放电保护和均衡功能。
4. 太阳能逆变器：
支持高效的能量转换，满足可再生能源领域的特殊需求。
IRFP460, STP18NF50, FDP18N50, CSD19536KCS
以上替代型号均需根据具体应用场景确认其兼容性，并进行电气特性对比测试以确保满足要求。
