型号：MMZ2012Y102BTD25
　　制造商：TDK
　　封装尺寸：2012（2.0mm × 1.25mm）
　　阻抗@100MHz：1000Ω ±25%
　　直流电阻（DCR）：最大0.35Ω
　　额定电流：500mA
　　工作温度范围：-55℃ ~ +125℃
　　材质：多层铁氧体陶瓷
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　端电极结构：Ni/Sn镀层
　　产品类别：EMI滤波磁珠
　　阻抗特性类型：B型（宽带型）

MMZ2012Y102BTD25磁珠具备优异的高频噪声抑制能力，其核心特性在于利用铁氧体材料在高频下呈现的高磁导率和高损耗特性，将高频噪声能量转化为热能消耗掉，从而实现对电磁干扰的有效滤除。该器件在100MHz时提供高达1000Ω的阻抗，能够在广泛的频率范围内（通常从几十MHz到数GHz）保持较高的阻抗水平，特别适合用于抑制高速数字信号线（如USB、HDMI、LAN、SDIO等）上的共模噪声。此外，其B型阻抗曲线设计使其在较宽频段内具有平稳且高效的衰减性能，避免了传统窄带滤波器可能带来的频率响应不均问题。
　　该磁珠采用多层陶瓷工艺制造，内部由多个铁氧体层与内部电极交替堆叠而成，这种结构不仅提高了元件的机械强度和可靠性，还增强了其在高频下的Q值控制能力，减少了谐振效应带来的信号失真风险。同时，其低直流电阻（DCR最大仅0.35Ω）确保了在通过正常工作电流时产生的压降和功耗极小，不会显著影响电源效率或信号完整性。这对于电池供电设备尤为重要，有助于延长续航时间。
　　MMZ2012Y102BTD25具有良好的温度稳定性和长期可靠性，在-55℃至+125℃的工作温度范围内性能变化小，能够适应严苛的工业和汽车级应用环境。其表面贴装封装形式便于自动化生产和回流焊工艺，兼容无铅焊接流程，符合RoHS和REACH环保要求。此外，该器件具有较强的抗潮湿能力和耐焊接热冲击性能，能够在多次回流焊过程中保持稳定性能，适用于高密度PCB布局和小型化电子产品设计。
　　值得一提的是，该磁珠不具备明显的电感储能功能，因此不会像电感那样引起电压反冲或产生LC谐振问题，更适合用于信号线路的“透明”滤波，既能抑制噪声又不影响原始信号的传输质量。综合来看，MMZ2012Y102BTD25是一款高性能、高可靠性的EMI抑制元件，适用于对电磁兼容性要求较高的现代电子系统。

MMZ2012Y102BTD25广泛应用于各类需要抑制高频噪声的电子电路中，尤其适用于高速数字信号线路和敏感模拟电路的EMI滤波。常见应用场景包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式消费类电子产品中的数据接口滤波，例如USB 2.0/3.0、HDMI、MIPI、SD卡接口、I2C、SPI等信号线上，用于消除串扰和射频干扰，提升信号完整性和系统稳定性。在无线通信模块（如Wi-Fi、蓝牙、GPS、LTE模块）中，该磁珠可用于电源去耦和射频前端的噪声隔离，防止发射信号反向耦合至电源网络造成干扰。
　　在工业控制和汽车电子领域，该器件可用于车载信息娱乐系统、摄像头模块、传感器接口和CAN/LIN总线的滤波，以满足严格的EMC认证要求（如CISPR 25、ISO 7637等）。此外，在FPGA、ASIC、微处理器和存储器周边电路中，MMZ2012Y102BTD25可用于I/O电源的局部去耦，减少开关噪声对邻近电路的影响。在电源管理单元中，也可将其用于DC-DC转换器输出端的次级滤波，进一步降低纹波和高频噪声。
　　由于其小型化封装和高可靠性，该磁珠也适用于空间受限的可穿戴设备、物联网终端和医疗电子设备中。总之，任何存在高频噪声传播路径且需要提升电磁兼容性能的场合，都是MMZ2012Y102BTD25的理想应用领域。

BLM21PG102SN1D
　　DE2012T102JA2L
　　SRN2012-102M