时间：2025/8/14 6:49:20
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PJA3472B_R1_00001 是一款由 Panjit（强茂股份有限公司）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率电源管理和功率开关应用而设计，具有低导通电阻（Rds(on)）、高功率密度和良好的热稳定性等特点。其封装形式为表面贴装型（如 SOP-8 或其他类似封装），适用于现代电子设备中对空间和散热要求较高的场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电压（Vds）：30V
最大栅极电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：4.7A（在 25°C 环境温度下）
导通电阻（Rds(on)）：约 28mΩ（典型值，Vgs = 10V）
功耗（Pd）：1.4W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOP-8（表面贴装）
PJA3472B_R1_00001 的主要特性包括其低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高电源转换效率。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供了优良的开关性能和热管理能力。此外，它具备较高的电流承载能力和良好的短路耐受性，适用于需要频繁开关操作的场合。
其表面贴装封装（如 SOP-8）非常适合在空间受限的 PCB 设计中使用，同时支持自动焊接工艺，提高了生产效率。该 MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，通常可在 4.5V 至 20V 之间工作，使得它适用于多种驱动电路设计。此外，PJA3472B_R1_00001 还具有较低的输入电容和反向恢复电荷，有助于减少开关损耗并提高整体系统效率。
PJA3472B_R1_00001 常用于各种电源管理和功率控制电路中，例如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路以及电源管理单元（PMU）等。由于其低导通电阻和高效率特性，它在笔记本电脑、平板电脑、智能手机、电源适配器、LED 驱动器以及工业自动化设备中得到了广泛应用。
在消费类电子产品中，该器件可用于高效能电源供应系统，如电源管理 IC（PMIC）中的功率开关，以实现节能和延长电池寿命的目标。在工业和汽车电子领域，PJA3472B_R1_00001 也适用于各种需要高可靠性和高效能的功率控制场合。
Si2302DS, AO3400A, FDN340P, NDS355AN
