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MMZ2012S181AT 发布时间 时间:2025/12/5 8:43:56 查看 阅读:22

MMZ2012S181AT是一款由TDK公司生产的表面贴装多层陶瓷片式电感器(MLCI),属于其MMZ系列中的高性能铁氧体磁珠产品。该器件专为抑制高频噪声而设计,广泛应用于各类电子设备的电磁干扰(EMI)滤波电路中。MMZ2012S181AT采用紧凑的2012封装尺寸(即0805英制尺寸,2.0mm x 1.25mm x 0.95mm),适用于对空间要求极为严格的便携式电子产品,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和无线通信模块等。该磁珠的核心功能是在特定频率范围内提供高阻抗,从而有效吸收或衰减由高速数字信号线、电源线或射频线路产生的高频噪声,防止其传播到系统其他部分造成干扰。其材料结构基于镍锌(NiZn)铁氧体,具有优异的高频特性,能够在数百MHz至GHz频段内实现高效的噪声抑制。此外,该元件具备良好的直流电阻(DCR),可在不影响主信号或供电电流的前提下完成滤波任务。由于其无源、小型化和高可靠性特点,MMZ2012S181AT在现代高频电子系统中扮演着关键角色,是保障电磁兼容性(EMC)的重要元件之一。

参数

型号:MMZ2012S181AT
  制造商:TDK
  封装尺寸:2012(2.0mm × 1.25mm × 0.95mm)
  阻抗值(@100MHz):180Ω ±25%
  额定电流:500mA
  直流电阻(DCR):典型值0.45Ω,最大值0.6Ω
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C
  测试频率:100MHz
  类别:表面贴装铁氧体磁珠
  材质:镍锌(NiZn)铁氧体

特性

MMZ2012S181AT具备卓越的高频噪声抑制能力,其核心特性在于在100MHz频率下提供高达180Ω的标称阻抗,并允许±25%的公差范围,确保在批量应用中的稳定性能表现。这种高阻抗特性使其特别适合用于消除开关电源、时钟线路、USB接口、HDMI线路以及RF信号路径中的共模噪声。该磁珠采用多层陶瓷工艺制造,内部由多个交叉叠绕的导电层与铁氧体介质交替构成,形成一个分布式的LC网络结构,从而在宽频范围内表现出理想的耗能型滤波行为——即将高频噪声能量转化为热能而非反射回电路,避免产生二次干扰。
  其使用的镍锌铁氧体材料相较于锰锌体系具有更高的电阻率和更优的高频响应,能在GHz级别仍保持有效的阻抗水平,适用于现代高速数字系统中常见的高频谐波抑制需求。同时,较低的直流电阻(DCR)保证了在通过500mA额定电流时仅有轻微压降和功耗,提升了整体能效。该器件还具备良好的温度稳定性与长期可靠性,在-55°C至+125°C的工作温度范围内电气性能变化小,满足工业级与消费级双重应用场景。此外,2012小型化封装支持自动化贴片生产,兼容标准回流焊工艺,便于集成于高密度PCB布局中,尤其适合追求轻薄化的移动终端设备使用。

应用

MMZ2012S181AT主要应用于需要高效EMI抑制的各种电子电路中。典型用途包括便携式消费类电子产品中的电源线去耦和信号线滤波,例如智能手机和平板电脑中的基带处理器、摄像头模块、显示屏驱动线路及Wi-Fi/蓝牙射频前端的噪声抑制。它也常被用于USB、SD卡、HDMI等高速数据接口的共模滤波,以提升信号完整性和系统抗干扰能力。在电源管理领域,该磁珠可用于DC-DC转换器输出端或LDO稳压器输入端的滤波电路,有效降低开关噪声对敏感模拟电路的影响。此外,在工业控制、汽车电子(非动力系统)和物联网设备中,该元件也被广泛部署于微控制器I/O引脚、时钟振荡器输出端以及传感器信号调理电路中,用以提升系统的电磁兼容性(EMC)并通过相关认证测试,如FCC、CE等辐射发射标准。由于其小型化和高性能的结合,MMZ2012S181AT成为现代高集成度电子产品中不可或缺的被动元件之一。

替代型号

BLM21PG181SN1D
  DE210EB181QA0L

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MMZ2012S181AT参数

  • 制造商:TDK
  • 产品种类:EMI/RFI 抑制器及铁氧体
  • RoHS:详细信息
  • 产品:Chip Ferrite Beads
  • 阻抗:180 Ohms
  • 容差:25 %
  • 最大直流电流:600 mAmps
  • 最大直流电阻:0.15 Ohms
  • 工作温度范围:- 55 C to + 125 C
  • 封装 / 箱体:0805 (2012 metric)
  • 端接类型:SMD/SMT
  • 尺寸:1.25 mm W x 2 mm L x 0.85 mm H
  • 封装:Reel
  • 串联:MMZ
  • 屏蔽:Unshielded
  • Standard Pack Qty:4000.0
  • 测试频率:100 MHz