时间：2025/12/1 15:00:45
阅读：25
MMZ1608S102ATD25是一款由村田制作所（Murata Manufacturing Co., Ltd.）生产的表面贴装型多层片式铁氧体磁珠，专用于抑制高频噪声。该器件属于MMZ系列，广泛应用于各类电子设备中，以提升电磁兼容性（EMC）。其型号中的“MMZ”代表村田的铁氧体磁珠产品线，“1608”表示其封装尺寸为1.6mm x 0.8mm（公制尺寸1608），符合标准的SMD贴装工艺。“102”表示其标称阻抗为1000Ω（即10后加2个零），在100MHz测试条件下测得。“A”代表阻抗公差等级，“TD”表示卷带包装，“25”表示每盘25000只。该磁珠采用高密度陶瓷和铁氧体材料制成，通过多层叠层技术实现高性能的噪声抑制能力，特别适用于高速数字电路、射频模块和电源线路中的高频干扰滤波。
作为被动元件的一种，MMZ1608S102ATD25不具有极性，安装方便，适合自动化贴片生产。其主要功能是在高频段呈现高阻抗特性，从而将不需要的高频噪声转化为热能消耗掉，同时对直流或低频信号保持低阻抗，确保主信号通路不受影响。这种选择性滤波机制使其成为现代便携式电子产品如智能手机、平板电脑、无线通信模块及消费类电子设备中不可或缺的EMI抑制元件。
产品类型：铁氧体磁珠
封装尺寸：1608（1.6 x 0.8 mm）
标称阻抗：1000Ω @ 100MHz
阻抗公差：±25%
额定电流：50mA
直流电阻（DCR）：最大4.5Ω
工作温度范围：-55℃ ~ +125℃
测试频率：100MHz
包装形式：卷带（TD），每盘25000只
制造商：Murata（村田）
系列：MMZ
最小起订量（MOQ）：25000只
MMZ1608S102ATD25具备优异的高频噪声抑制性能，其核心优势在于利用铁氧体材料在高频下呈现的高磁导率和高损耗特性，有效吸收并耗散高频干扰能量。该磁珠在100MHz时提供高达1000Ω的阻抗值，能够显著衰减诸如开关电源产生的谐波、数字信号跳变引起的尖峰噪声以及射频串扰等常见干扰源。由于其低直流电阻（最大仅4.5Ω），在通过正常工作电流时压降极小，不会对系统供电造成明显影响，从而保证了电源效率和信号完整性。此外，该器件具有良好的温度稳定性和长期可靠性，在-55℃至+125℃的工作温度范围内性能变化较小，适用于严苛环境下的应用场合。
该磁珠采用多层陶瓷共烧工艺制造，内部电极交错排列，形成多个串联的微型电感单元，增强了整体的感抗与电阻损耗特性。这种结构设计不仅提高了单位体积内的噪声抑制能力，还提升了机械强度和耐焊接热冲击能力，可承受回流焊过程中的高温而不发生性能劣化或开裂。其小型化封装（1.6 x 0.8 mm）非常适合高密度PCB布局需求，尤其适用于空间受限的移动终端设备。同时，该器件符合RoHS环保标准，不含铅、镉等有害物质，满足现代电子产品对绿色制造的要求。
值得注意的是，MMZ1608S102ATD25的额定电流为50mA，意味着它适用于轻载电源轨或信号线路的滤波，而不适合大电流路径使用。若电流超过额定值，可能导致磁芯饱和，进而降低阻抗性能，失去噪声抑制效果。因此，在实际应用中需准确评估线路电流大小，并结合温升情况进行选型。该磁珠常被用于USB数据线、音频线路、传感器接口、MCU I/O引脚及RF前端匹配网络中，作为EMI对策的关键元件，帮助产品通过FCC、CE等电磁兼容认证。
广泛应用于便携式电子设备中的EMI抑制，包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑、可穿戴设备；用于高速数字信号线（如I2C、SPI、UART）的噪声滤波；适用于射频模块前端（如Wi-Fi、蓝牙、GPS接收器）防止高频干扰耦合；可用于传感器信号调理电路中提升信噪比；适用于低功耗微控制器系统的电源去耦和I/O保护；在DC-DC转换器输出端抑制高频纹波；应用于消费类电子产品以满足EMC法规要求。
BLM18AG102SN1D, BLM18PG102SN1D, DLP11SN102SQ2L, DEG102JA102TL2
