MMZ1005S241ATA0F 时间：2025/12/5 19:56:17 阅读：28

MMZ1005S241ATA0F是一款由村田制作所（Murata Manufacturing Co., Ltd.）生产的表面贴装型多层陶瓷片式铁氧体磁珠，属于MMZ系列。该器件主要用于抑制高频噪声，在高速数字电路、射频（RF）电路以及电源线路中起到EMI（电磁干扰）滤波的作用。其封装尺寸为1005（公制代码1005，即1.0mm x 0.5mm），适用于高密度贴装的便携式电子设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和无线通信模块等。该磁珠在保持低直流电阻的同时，能够在特定频率范围内提供较高的阻抗，从而有效吸收并衰减高频噪声信号，防止其传播到系统的其他部分。MMZ1005S241ATA0F的命名遵循村田的标准编码规则，其中‘241’表示其标称阻抗值为240Ω（在100MHz测试条件下），‘A’代表阻抗特性曲线类型，‘T’表示编带包装，‘A0F’为产品批次或环保标识。该器件符合RoHS指令要求，无铅且符合环境友好型制造标准。由于其微型化设计和优异的高频性能，MMZ1005S241ATA0F广泛应用于需要紧凑布局与高性能EMI抑制能力的现代电子系统中。

参数

产品类型：铁氧体磁珠
　　封装尺寸：1005（1.0mm x 0.5mm）
　　阻抗（100MHz）：240Ω
　　直流电阻（DCR）：0.3Ω（最大值）
　　额定电流：500mA（最大值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　测试频率：100MHz
　　电感值：典型值较低，主要用于电阻性阻抗
　　包装形式：编带（Tape and Reel）
　　制造商：Murata（村田）
　　系列：MMZ1005S

特性

MMZ1005S241ATA0F的核心特性在于其出色的高频噪声抑制能力和小型化设计，使其成为现代便携式电子产品中不可或缺的EMI对策元件。
　　该磁珠采用多层陶瓷与铁氧体材料共烧工艺制成，具备高度集成的内部结构，在极小的1005封装内实现了高达240Ω（@100MHz）的阻抗特性。这种高阻抗特性主要集中在高频段（通常在数十MHz至数GHz范围），能够有效衰减开关电源产生的高频谐波、时钟信号的辐射噪声以及高速数据线上的串扰。与此同时，其直流电阻（DCR）仅为0.3Ω最大值，确保了在通过正常工作电流时不会产生明显的电压降或功率损耗，从而保障系统的能效和稳定性。该器件的额定电流为500mA，足以满足大多数低功耗数字电路和射频前端模块的供电去耦需求。
　　另一个关键特性是其良好的温度稳定性和电流耐受能力。即使在接近125°C的高温环境下，MMZ1005S241ATA0F仍能维持稳定的阻抗性能，避免因热漂移导致滤波效果下降。此外，当通过较大直流偏置电流时，其内部磁芯材料不易饱和，阻抗下降幅度较小，保证了在动态负载条件下的持续噪声抑制能力。这一特性对于电源路径中的滤波尤为重要，例如在为RF放大器或传感器供电的线路上使用时，可以防止噪声反向耦合至电源网络。
　　MMZ1005S241ATA0F还具有优异的高频响应一致性，适合用于差分信号线路或高速接口的共模噪声抑制。其表面贴装封装兼容自动化贴片工艺，适合大规模生产，并且与回流焊工艺完全匹配。整体来看，该磁珠结合了高阻抗、低损耗、小尺寸和高可靠性等多项优势，是应对复杂电磁环境的理想选择。

应用

MMZ1005S241ATA0F广泛应用于各类需要高效EMI抑制的电子设备中，尤其适用于空间受限但对信号完整性要求较高的场合。常见应用场景包括移动通信终端中的射频前端模块（RF Front-End Module），用于过滤本地振荡器、功率放大器和天线开关周围的高频噪声，提升接收灵敏度和发射质量。在数字电路中，它常被部署在微处理器、FPGA或ASIC的电源引脚附近，作为去耦滤波元件，以消除高速开关动作引起的电源波动和噪声耦合。此外，该磁珠也适用于USB、HDMI、MIPI等高速数据传输线路的噪声抑制，防止高频干扰影响信号完整性。在便携式消费类电子产品如智能手机、智能手表、蓝牙耳机和物联网设备中，MMZ1005S241ATA0F因其微型化封装和高性能表现而备受青睐。同时，也可用于Wi-Fi、蓝牙、NFC等无线模块的电源和信号路径中，增强系统的电磁兼容性（EMC）性能，帮助产品顺利通过相关认证测试。