时间：2025/12/22 14:44:59
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MMZ1005D680CTD25是一款由TDK公司生产的多层片状铁氧体磁珠，属于MMZ系列，专用于抑制高频噪声。该器件采用表面贴装技术（SMT），适用于高密度、小型化的电子设备电路设计。其主要功能是在不影响信号传输的情况下，有效滤除高频干扰噪声，从而提升系统的电磁兼容性（EMC）。
该磁珠的核心材料为铁氧体陶瓷，具有非线性阻抗特性，即在低频段呈现较低的阻抗以减少信号衰减，而在高频段则迅速增加阻抗以吸收或反射噪声能量。MMZ1005D680CTD25的尺寸为1005（公制：1.0mm x 0.5mm），符合EIA标准的小型化封装要求，适合用于便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及无线通信模块等。
型号中的‘680’表示其在100MHz下的标称阻抗为68Ω，‘C’代表其为通用型产品，‘T’表示编带包装，‘D25’为特定批次或版本标识。该元件工作温度范围通常为-55°C至+125°C，具备良好的热稳定性和长期可靠性。由于其无源结构和高集成度，MMZ1005D680CTD25广泛应用于电源线路、I/O接口、时钟线路及射频前端电路中的噪声抑制。
产品类型：铁氧体磁珠
尺寸（长×宽）：1.0mm × 0.5mm
高度：约0.5mm
额定电流：500mA
直流电阻（DCR）：典型值0.35Ω，最大值0.5Ω
阻抗频率：100MHz
标称阻抗（Z）：68Ω ±25% @ 100MHz
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
焊接方式：回流焊
包装形式：编带（Tape and Reel）
电感值：极低（作为磁珠使用时不强调电感）
自谐振频率：高于1GHz
耐压：50V DC max
MMZ1005D680CTD25的最核心特性在于其优异的高频噪声抑制能力。该磁珠利用铁氧体材料的磁损耗与涡流损耗机制，在高频范围内将噪声能量转化为热能进行消耗，从而实现对电磁干扰的有效衰减。其阻抗随频率上升而显著增加，在100MHz时达到68Ω的标称值，并在数百MHz范围内保持较高的阻抗水平，特别适用于抑制开关电源产生的高频纹波、数字电路的谐波辐射以及高速数据线路上的串扰。
另一个关键特性是其低直流电阻（DCR），典型值仅为0.35Ω，这使得它在通过正常工作电流时产生极小的电压降和功率损耗，不会对系统供电效率造成明显影响。同时，500mA的额定电流足以满足大多数便携设备中电源轨或信号线的电流需求，确保长期运行的安全性与稳定性。
该器件还具备出色的温度稳定性和机械强度。由于采用多层陶瓷工艺制造，内部结构致密，能够承受多次热循环和物理应力，适用于自动化贴片生产流程。此外，其小型化封装（1005）极大节省了PCB布局空间，有助于实现终端产品的轻薄化设计。
在电气性能方面，MMZ1005D680CTD25具有较宽的工作频率响应范围，且自谐振频率较高（通常超过1GHz），避免了在目标抑制频段内出现容性行为导致性能下降的问题。其阻抗曲线平滑，适合用于USB、I2C、SPI、RF天线匹配网络等多种应用场景。整体而言，这款磁珠结合了高性能、小尺寸和高可靠性，是现代电子系统中不可或缺的EMI滤波元件之一。
MMZ1005D680CTD25广泛应用于各类需要高频噪声抑制的电子电路中。在移动通信设备中，常被用于手机、平板电脑的射频前端模块，安装在天线开关、功率放大器或接收链路中，以防止杂散发射和外部干扰进入敏感电路，提高无线信号质量与通信稳定性。
在数字电路系统中，该磁珠可用于微处理器、FPGA或ASIC的I/O电源引脚处，作为去耦元件配合旁路电容使用，构成π型或L型滤波网络，有效滤除来自电源分配网络的高频噪声，降低地弹和电源反弹风险，提升信号完整性。
此外，在高速接口如USB、HDMI、MIPI等差分信号线附近，也可部署此类磁珠来抑制共模噪声，增强电磁兼容性，满足FCC、CE等国际认证要求。在便携式设备的电池供电路径中，MMZ1005D680CTD25可用于电池端口的滤波，防止开关电源（DC-DC转换器）产生的噪声反向传播至电池或其他子系统。
其他典型应用场景还包括蓝牙/Wi-Fi模块、GPS接收器、传感器接口电路、LCD背光驱动电路以及各种低功耗IoT设备。由于其高可靠性和自动化装配兼容性，也常见于汽车电子中的信息娱乐系统和ADAS传感器模块中，用于提升复杂电磁环境下的系统鲁棒性。
BLM18AG680SN1D
BLM15AX680SN1D
DE216ME680LA
MMZ1005B680CTD25
SRN1005-680Y
