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MMUN2211LT1G 发布时间 时间:2025/6/6 0:57:34 查看 阅读:5

MMUN2211LT1G 是一款 N 没有极型场效应晶体管(MOSFET),采用 TO-277 封装形式。这种器件广泛用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等应用中,其主要功能是在电路中作为高效的电子开关或功率放大元件。该型号具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,能够显著提升系统效率并减少能量损耗。
  这款 MOSFET 属于增强型器件,意味着它需要一定的栅极电压才能开启。由于其出色的性能参数,MMUN2211LT1G 在工业控制、汽车电子以及消费类电子产品领域均有着广泛应用。

参数

最大漏源电压:100V
  最大漏极电流:94A
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻:1.6mΩ
  总功耗:38W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-277

特性

MMUN2211LT1G 具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗,提高整体系统效率。
  2. 高额定漏极电流能力,使其能够在高负载条件下稳定运行。
  3. 较宽的工作温度范围,适应各种严苛环境下的应用需求。
  4. 快速开关速度,减少了开关过程中的能量损耗。
  5. 强大的雪崩能量承受能力,增强了器件在异常情况下的可靠性。
  6. 紧凑且坚固的 TO-277 封装设计,便于安装和散热管理。

应用

MMUN2211LT1G 主要应用于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器,提供高效的能量转换。
  2. 电机驱动和逆变器模块,用作功率级开关元件。
  3. 工业自动化设备中的功率控制电路。
  4. 汽车电子系统,如电动车窗、座椅调节及发动机控制单元。
  5. 各类家用电器和消费类电子产品中的功率管理部分。

替代型号

MMUN2211LT1G 的替代型号包括但不限于:IRFP260N、STP90NF10、INFINEON IPW90R160CP

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MMUN2211LT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)10k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)35 @ 5mA,10V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 300µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大246mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MMUN2211LT1GOSMMUN2211LT1GOS-NDMMUN2211LT1GOSTR