时间：2025/8/5 20:04:34
阅读：27
IXGE50N90Z是一款高功率沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由德国半导体制造商英飞凌（Infineon）设计制造。该器件专为高压和高电流应用而设计，广泛应用于工业电源、逆变器、电机控制和可再生能源系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：900V
最大漏极电流（ID）：50A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：典型值0.16Ω（最大0.22Ω）
栅极电荷（Qg）：150nC（典型）
最大功耗（Ptot）：300W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-247
IXGE50N90Z具有多项优异的电气和物理特性。首先，其高耐压能力（900V）使其适用于高电压电源转换应用，例如太阳能逆变器和高压DC-DC转换器。其次，该MOSFET的导通电阻较低，有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件的高电流承载能力（50A）使其适用于高功率负载场合。IXGE50N90Z采用先进的沟道技术，确保快速开关性能，从而减少开关损耗并提高系统响应速度。该器件还具备良好的热稳定性，可在高温度环境下稳定运行，增强了系统的可靠性。TO-247封装形式提供了良好的散热性能，并兼容标准的散热器安装方式，便于系统集成和维护。
IXGE50N90Z主要应用于高功率电子设备中，包括工业电源、UPS（不间断电源）、电机驱动器、变频器、太阳能逆变器和电动汽车充电设备。在这些应用中，该MOSFET可作为主开关元件，负责高效的电能转换和控制。其高耐压、低导通电阻和高电流处理能力使其成为高性能功率转换系统的理想选择。此外，该器件也适用于需要快速开关和高可靠性的控制系统，例如自动化工业设备和电力调节系统。
IXGH50N90Z，IXFH50N90Z，FF50U90S1
