时间：2025/8/13 19:03:30
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MMUN2132 是一款由 ON Semiconductor 生产的双极性晶体管（BJT）阵列，内部集成了两个 NPN 型晶体管，采用小型 SOT-23 封装。该器件适用于需要低功率开关和信号处理的应用，具有良好的稳定性和较高的集成度，广泛用于便携式电子设备、逻辑电路、驱动电路以及接口电路中。
晶体管类型：NPN 双极型晶体管（双管阵列）
集电极-发射极电压（VCEO）：30 V
最大集电极电流（IC）：100 mA
最大功耗（PD）：200 mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
增益（hFE）：110（最小值，典型值在不同 IC 条件下变化）
频率响应（fT）：100 MHz（典型值）
MMUN2132 的核心优势在于其紧凑的 SOT-23 封装和双晶体管集成设计，使得它非常适合用于空间受限的便携式设备中。该器件的两个晶体管在电气性能上具有高度一致性，适用于需要配对晶体管的应用场景，例如差分放大器或逻辑电平转换电路。
其 VCEO 电压为 30V，IC 最大电流为 100mA，适合低功率开关和信号处理任务。此外，该器件具有良好的热稳定性和可靠性，在工业和消费类电子产品中表现出色。由于其 hFE 值较高（最小110），在小信号放大应用中也能提供良好的性能。
MMUN2132 还具备良好的频率响应，典型 fT 为 100 MHz，适用于中高频信号处理应用。该器件的封装符合 RoHS 环保标准，支持无铅焊接工艺，符合现代电子产品对环保和制造工艺的要求。
MMUN2132 主要应用于便携式电子设备中的信号处理、逻辑电路、驱动电路和接口电路。由于其双晶体管集成设计，常用于构建差分放大器、电平转换器和逻辑门电路。该器件也可用于小型电子系统的开关控制，如 LED 驱动、继电器控制和传感器信号调理等场景。
此外，MMUN2132 适用于数字电路中的缓冲器和逆变器设计，也常用于模拟电路中的小信号放大。在通信设备、音频系统和工业控制模块中也有广泛应用。其高集成度和稳定性使其成为替代分立晶体管设计的理想选择。
MMUN2134, MUN2132, MUN2111, 2N3904
