类型：NPN型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ 150°C
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：在2mA时为110至800（根据不同等级）

MMUN211RLT1晶体管具有多项优异的电气特性和可靠性设计，适用于各种电子应用。其主要特性包括高电流增益（hFE），可在不同工作条件下提供稳定的放大性能，同时具备较低的饱和压降（VCE(sat)），有助于减少功耗并提高效率。该器件的频率响应较好，适用于高频开关和放大应用。此外，MMUN211RLT1采用SOT-23小型封装，便于在高密度PCB设计中使用，且符合RoHS环保标准。该晶体管的热稳定性良好，能够在较宽的温度范围内正常工作，确保在工业级应用中的可靠性。
　　此外，MMUN211RLT1的封装设计支持自动贴片和回流焊工艺，提高了生产效率并降低了制造成本。其内部结构优化了基极和集电极之间的寄生电容，从而提高了高频性能，适用于射频（RF）前端电路和数字开关应用。该晶体管的可靠性经过严格测试，适用于长期运行的工业控制、通信设备和消费电子产品。

MMUN211RLT1晶体管广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：在数字电路中作为开关元件，用于控制LED、继电器、小型电机等负载；在模拟电路中作为放大器，用于音频信号、传感器信号的前置放大；在电源管理电路中用于电压调节和电流控制；在射频（RF）电路中用于低噪声前置放大和信号调制解调；在嵌入式系统和微控制器外围电路中用于驱动高电流负载或作为缓冲级。此外，它还常用于测试设备、通信模块、消费电子产品和工业自动化设备中。

MMUN211LT1G, PN2222A, 2N3904, BC547, 2N2222