MMUN2116 时间：2025/8/13 12:29:11 阅读：9

MMUN2116是一款由ON Semiconductor生产的双极性晶体管（BJT）阵列集成电路，集成了两个PNP晶体管。该器件广泛用于需要高增益、高速度以及低功耗的电路设计中，例如数字逻辑电路、驱动电路、信号放大以及开关控制等应用。MMUN2116的封装形式通常为SOT-23-6，这种小型封装非常适合在空间受限的电子设备中使用。

参数

晶体管类型：双PNP晶体管
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50 V
　　最大基极电流（IB）：5 mA
　　最大功耗（PD）：200 mW
　　电流增益（hFE）：100~800（取决于工作电流）
　　频率响应（fT）：100 MHz
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23-6

特性

MMUN2116是一款高集成度的双晶体管阵列，其两个PNP晶体管共享相同的封装，节省了电路板空间，同时提高了电路设计的灵活性。该器件的高电流增益使其适用于低噪声前置放大器和数字开关应用。MMUN2116的工作电压范围较宽，支持高达50V的集电极-发射极电压，适合多种电压等级的电路设计。此外，其高频响应特性也使其适用于中高频放大电路。该器件具有良好的热稳定性和可靠性，能够在极端温度条件下稳定工作。
　　MMUN2116的SOT-23-6封装形式具有优良的焊接性能，适合自动化生产和表面贴装工艺。由于其紧凑的封装和高性能参数，MMUN2116常被用于便携式电子设备、消费类电子产品、工业控制系统以及通信模块等应用场景。

应用

MMUN2116主要应用于需要多个晶体管协同工作的电路设计中。典型应用包括数字逻辑门电路、电平转换电路、LED驱动电路、继电器驱动电路、信号放大电路以及电源管理模块。由于其双晶体管结构和高增益特性，该器件在需要并联操作或推挽输出的电路中表现出色。此外，MMUN2116也可用于构建达林顿对管结构以获得更高的电流增益。在工业自动化和嵌入式系统中，MMUN2116常常作为开关元件用于控制负载的通断。