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MMUN2113LT3G 发布时间 时间:2023/3/29 11:07:12 查看 阅读:543

产品种类: 数字晶体管

目录

概述

制造商: ON Semiconductor

产品种类: 数字晶体管

配置: Single

晶体管极性: NPN

典型输入电阻器: 47 KOhm

典型电阻器比率: 1

封装 / 箱体: SOT-23 (Pb-Free)

直流电流增益 hFE 最小值: 80 @ 5mA @ 10V

集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V

集电极连续电流: 100 mAdc

峰值直流集电极电流: 100 mA

功率耗散: 400 mW

最大工作温度: + 150℃

封装: Reel

最小工作温度: - 55℃

安装风格: SMD/SMT

资料

厂商
ON Semiconductor

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MMUN2113LT3G参数

  • 标准包装10,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)47k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)80 @ 5mA,10V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 300µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大246mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)