型号：30CTQ030
　　制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
　　器件类型：肖特基势垒二极管（中心抽头）
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　平均整流电流（IF(AV)）：30A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A（单半波，60Hz）
　　最大正向压降（VF）：0.54V @ 15A, Tj=25°C（典型值），通常在满载条件下低于0.85V
　　最大反向漏电流（IR）：0.5mA @ 30V, Tj=25°C；高温下可增至5mA以内
　　工作结温范围（Tj）：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围（Tstg）：-65°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-277（DPAK），表面贴装型
　　引脚数：3
　　热阻（RθJC）：约1.5°C/W（芯片到外壳）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　认证：符合AEC-Q101车规标准，无铅、符合RoHS要求

30CTQ030的核心优势在于其采用了先进的肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降与零反向恢复电荷的结合，从而大幅降低了功率损耗，提升了能效。该器件内部集成了两个15A的肖特基二极管并联连接，并通过中心抽头的方式引出共阴极结构，这种设计特别适用于全波整流电路，如在同步降压变换器或多相VRM（电压调节模块）中作为续流和整流元件使用。由于没有PN结带来的少子存储效应，肖特基二极管具备天然的快速开关能力，不存在反向恢复时间（trr ≈ 0），这有效减少了高频开关过程中因反向恢复引起的电磁干扰（EMI）和尖峰电压问题，提高了系统的稳定性与可靠性。
　　该器件具有出色的热性能，得益于其TO-277封装底部的大面积铜焊盘设计，能够实现高效的热量传导至PCB，从而支持持续高电流工作而不发生过热失效。同时，宽达-65°C至+175°C的工作结温范围使其可在极端温度环境下稳定运行，适用于包括发动机舱附近在内的汽车电子应用场景。此外，30CTQ030具备较强的浪涌电流承受能力，150A的峰值非重复浪涌电流能力确保其在电源启动或负载突变时仍能保持安全可靠。
　　从制造工艺上看，ONSEMI采用成熟的金属-半导体接触工艺和优化的芯片布局，保证了器件的一致性和长期可靠性。该产品通过AEC-Q101认证，意味着其经过了严格的应力测试，包括高温反偏、温度循环、机械冲击等多项考核，适合车载电源系统使用。对于追求小型化和高功率密度的设计者而言，30CTQ030提供了一种无需额外散热器即可实现30A级整流能力的解决方案，尤其适用于服务器电源、笔记本适配器、LED驱动电源及电动汽车车载充电机（OBC）中的辅助电源模块。

30CTQ030主要应用于各类需要高效、低压大电流整流的电源系统中。典型用途包括开关模式电源（SMPS）中的输出整流级，特别是在低输出电压（如3.3V、5V、12V）且负载电流较大的场合，利用其低VF特性可显著提升转换效率。它也广泛用于DC-DC降压变换器中作为续流二极管或同步整流的替代参考器件，在轻载或非同步控制模式下发挥关键作用。此外，在多相供电架构的CPU或GPU电压调节模块（VRM）中，该器件可用于每相的续流路径，帮助实现更高的动态响应和更低的纹波电流。
　　在汽车电子领域，30CTQ030因其通过AEC-Q101认证而被广泛用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器供电单元、电动助力转向（EPS）控制器以及车载充电机（OBC）的辅助电源部分。其表面贴装封装便于自动化生产，适合回流焊工艺，有助于提高生产线效率和焊接可靠性。在工业控制设备中，该器件可用于PLC电源模块、电机驱动器的辅助电源整流，以及UPS不间断电源中的DC-DC转换环节。
　　此外，30CTQ030还可用于太阳能微逆变器、LED照明电源、通信基站电源模块等对效率和可靠性要求较高的应用中。由于其低电磁干扰特性，也有助于简化EMI滤波电路设计，降低整体系统成本。随着电子产品向更高功率密度和更小体积发展，30CTQ030凭借其紧凑封装、高电流能力和优良热性能，成为现代高效电源设计中的优选器件之一。

MBR30H30CTF
　　VS-30CTQ030-M3
　　STPS30L30CT
　　DM30H30CN