时间：2025/4/28 12:59:37
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MMUN2111LT1G 是一款由 ON Semiconductor 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 LFPAK33 封装（也称为 D2PAK 封装），适合高效率开关应用，如 DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等。其低导通电阻和快速开关性能使其在高频和高功率应用中表现出色。
该 MOSFET 的设计结合了先进的工艺技术和封装技术，以实现卓越的电气特性和热性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：3.1A
导通电阻：5.5mΩ（典型值，在 VGS=10V 时）
栅极电荷：9nC（典型值）
开关速度：快速
封装类型：LFPAK33 (D2PAK)
MMUN2111LT1G 具有非常低的导通电阻，能够有效减少导通损耗并提升系统效率。此外，该器件的栅极电荷较小，有助于降低开关损耗，特别适合高频工作条件。
该 MOSFET 的紧凑型封装形式可以节省电路板空间，并提供出色的散热能力，从而支持更高的功率密度。
其稳健的设计还能够在严苛的工作条件下保持可靠性，适用于工业和汽车领域中的多种应用场景。
MMUN2111LT1G 广泛应用于各种高效能电子设备中，例如降压转换器、同步整流电路、小型电机驱动以及负载开关等场景。
由于其出色的开关特性和较低的功耗，它非常适合便携式设备、消费类电子产品和工业控制系统的电源管理部分。同时，这款 MOSFET 还能满足一些汽车电子应用的需求，如电池管理系统或车载信息娱乐系统中的电源分配模块。
MTP2111LH,
NTMFS4C67N,
STP21NF06L
