MMT05A230T3是一种高性能的功率MOSFET晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其设计旨在优化效率和可靠性,适用于各种工业和消费类电子应用。
型号:MMT05A230T3
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):230V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):5A
导通电阻(Rds(on)):0.15Ω(典型值,@ Vgs=10V)
总功耗(Ptot):80W
结温范围(Tj):-55℃ to +175℃
封装形式:TO-220
MMT05A230T3具备以下关键特性:
1. 高耐压能力,支持高达230V的工作电压,适合高压应用场景。
2. 低导通电阻设计,有助于降低功率损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能,减少开关损耗并提升高频工作表现。
4. 强大的散热能力,确保在高电流和高温环境下的稳定性。
5. 符合RoHS标准,环保且可靠。
6. 提供过流和过温保护功能,增强器件的安全性。
该功率MOSFET适用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换和调节。
2. 电机驱动电路,用于控制直流无刷电机或步进电机。
3. 负载切换和保护电路,如电池管理系统(BMS)。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 消费类电子产品中的高效电源管理方案。
6. 充电器和适配器中的功率开关元件。
MMT05A200T3, MMT05A250T3, IRF540N