容量：16 Mbit
　　组织方式：1M x16
　　电压：2.7V - 3.6V
　　访问时间：100ns
　　封装：48-TSOP
　　温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　接口：并行接口
　　擦除/编程电压：内部产生
　　读取模式：异步模式

LH28F160S5NS-L10 具备多项先进的特性，使其适用于高性能嵌入式存储应用。首先，该芯片支持异步读取操作，提供高达 100ns 的访问速度，能够满足对实时性要求较高的系统需求。其多电压操作能力（2.7V - 3.6V）使其兼容多种主控器电源系统，提高了设计的灵活性。
　　该芯片采用了 Intel StrataFlash 技术，支持多级单元（MLC）存储方式，从而提高了存储密度并降低了成本。此外，LH28F160S5NS-L10 支持扇区擦除和页编程操作，允许用户灵活地进行数据更新和管理，提高存储效率。
　　为增强系统的可靠性，该芯片内置了错误检测和自动校正功能，能够识别并纠正读取过程中的数据错误，确保数据的完整性。此外，该器件具有高耐久性，支持多达 100,000 次擦写周期，并支持长达 10 年的数据保持能力。
　　LH28F160S5NS-L10 还具备低功耗特性，在待机模式下电流消耗极低，适用于电池供电设备。其 48-TSOP 封装形式也便于 PCB 布局和焊接，适合工业级环境下的稳定运行。

LH28F160S5NS-L10 主要应用于需要非易失性存储器的嵌入式系统中。例如，它广泛用于工业控制设备，如 PLC（可编程逻辑控制器）和工业人机界面（HMI），用于存储固件、配置数据和用户程序。在通信设备中，该芯片可用于存储路由器、交换机和基站的启动代码和运行参数。
　　消费类电子产品如数码相机、便携式媒体播放器和智能家电也是其常见应用领域，用于保存系统设置和用户数据。此外，该芯片还可用于汽车电子系统，如车载导航、信息娱乐系统和车载诊断设备，以支持系统更新和数据记录功能。
　　由于其具备工业级温度范围和高可靠性，LH28F160S5NS-L10 也适用于恶劣环境下的应用，如户外监控设备、安防系统和医疗电子设备。

LH28F320S5NS-L10, AM29LV160DB, MX29GL128E