时间:2023/4/3 11:31:29
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MMSZ5253BT1G技术参数
齐纳击穿电压Vz最小值(V):23.750
齐纳击穿电压Vz典型值(V):25
齐纳击穿电压Vz最大值(V):26.250
@Izt(mA):5
齐纳阻抗Zzt(Ω):35
最大功率PMax(W):0.500
芯片标识:K3
封装/温度(℃):SOD123/-65~150
| 厂商 |
|---|
| ON Semiconductor |