时间：2025/5/10 11:03:31
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FDN372S-NL 是一款 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET，采用 SOT-23 封装形式。该器件适用于低电压、低功耗应用场合，能够以较小的封装提供出色的性能。其低导通电阻和快速开关速度使其非常适合用于负载开关、DC/DC 转换器、电源管理以及便携式电子设备中。
FDN372S-NL 的设计使其能够在较低的栅极驱动电压下正常工作，从而减少了系统功耗并提高了效率。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±12V
连续漏极电流：1.8A
导通电阻（Rds(on)）@ Vgs=4.5V：0.8Ω
导通电阻（Rds(on)）@ Vgs=10V：0.6Ω
栅极电荷：1.9nC
总电容：180pF
开关速度：典型值 20ns
1. 低导通电阻确保高效运行，减少功率损耗。
2. 高速开关能力，适合高频应用环境。
3. 小型化 SOT-23 封装节省电路板空间。
4. 宽范围的工作温度（-55°C 至 +150°C），适应各种极端条件。
5. 支持低至 1.8V 的栅极驱动电压，便于与低电压系统集成。
6. 提供反向传输二极管保护功能，防止寄生效应导致损坏。
1. 移动通信设备中的负载切换。
2. DC/DC 转换器及降压稳压器。
3. 各类便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑等。
4. 电池供电产品中的电源管理单元。
5. 小信号处理电路中的开关元件。
6. 工业控制领域中的小型化驱动电路。
FDN372P
FDN372S
BSS138
AO3400
