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MMSZ5235BT1G 发布时间 时间:2025/4/28 21:07:34 查看 阅读:2

MMSZ5235BT1G是一款由ON Semiconductor(安森美)生产的齐纳二极管。它属于MMSZ5200B系列,具有高稳定性和精确的齐纳电压特性,适用于各种电路中的电压调节和保护功能。
  该器件采用SOD-123封装形式,适合表面贴装技术(SMT),能够节省PCB空间并提高生产效率。

参数

型号:MMSZ5235BT1G
  制造商:ON Semiconductor
  类型:齐纳二极管
  封装:SOD-123
  齐纳电压:35V
  最大齐纳电流:5mA
  功耗:400mW
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  反向恢复时间:无(因为是齐纳二极管)
  正向电压:约1V
  漏电流:≤100nA at Vz=35V

特性

MMSZ5235BT1G的特点包括高精度的齐纳电压、低动态电阻和出色的热稳定性。其SOD-123封装形式提供了良好的散热性能,并且由于体积小,非常适合用于紧凑型设计。
  此外,这款齐纳二极管能够在较宽的温度范围内保持稳定的性能,因此适合在恶劣环境条件下使用。它还具有较长的使用寿命和高度可靠性,这使得它成为许多工业和消费类应用的理想选择。

应用

MMSZ5235BT1G广泛应用于需要精确电压参考或过压保护的场合,例如电源电路中的稳压器、浪涌保护器以及信号电平转换电路。
  具体应用包括:
  1. 开关电源中的辅助稳压电路
  2. 过压保护电路
  3. 精密基准电压源
  4. 汽车电子系统中的电压钳位
  5. 工业控制设备中的信号调理电路
  6. 消费电子产品中的保护电路

替代型号

MMSZ5235BTRT1G, MMSZ5235BT1GEL, BZX84-C36

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MMSZ5235BT1G参数

  • 标准包装10
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)6.8V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电3µA @ 5V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大500mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)5 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOD-123
  • 供应商设备封装SOD-123
  • 包装Digi-Reel®
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 其它名称MMSZ5235BT1GOSDKR