MMSZ5231BT/R 是一款由Microsemi(现为L3Harris Technologies)制造的表面贴装齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和电路保护应用。该器件采用SOT-23封装,适用于需要稳定参考电压的低功耗电路设计。MMSZ5231BT/R 在设计上提供了良好的温度稳定性和长期可靠性,适合在各种工业、通信和消费类电子产品中使用。
类型:齐纳二极管
封装类型:SOT-23
齐纳电压(Vz):5.1V
测试电流(Iz):20mA
最大齐纳电流(Iz_max):100mA
功率耗散(Ptot):300mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-65°C 至 +150°C
最大反向漏电流(Ir):100nA(@ Vz - 1V)
齐纳阻抗(Zz):17Ω(@ 20mA)
MMSZ5231BT/R 齐纳二极管具有多个关键特性,使其在电子设计中广泛使用。首先,其齐纳电压在标准测试条件下保持在5.1V,适用于需要精确电压参考的应用。其次,该器件的温度稳定性良好,温度系数为+0.07%/°C,这意味着在温度变化时,齐纳电压的变化非常小,从而确保电路的稳定性。
该器件的最大齐纳电流为100mA,能够在较宽的电流范围内提供稳定的电压输出。此外,其封装采用SOT-23小型表面贴装封装,适合高密度PCB布局,同时具备良好的散热性能,确保在较高功率应用下的可靠性。
MMSZ5231BT/R 的最大反向漏电流为100nA,在低于齐纳击穿电压的情况下,漏电流极低,有助于减少电路在非工作状态下的功耗。此外,其齐纳阻抗为17Ω,在20mA测试电流下表现出良好的动态响应特性,适用于需要快速响应电压波动的电路。
MMSZ5231BT/R 主要用于需要稳定电压参考的电路设计,例如在电源管理模块中作为基准电压源。它也常用于电池充电电路中的电压钳位保护,防止过压损坏敏感的电子元件。此外,该齐纳二极管可用于模拟和数字电路中的电压调节,确保系统在不同负载条件下的稳定性。
在通信设备中,MMSZ5231BT/R 可用于以太网供电(PoE)接口的电压限制保护,防止静电放电(ESD)和瞬态电压对电路造成损害。在工业自动化系统中,该器件可用于传感器信号调理电路中的参考电压源,提高测量精度。
消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,MMSZ5231BT/R 可用于USB接口的电压调节和保护电路,确保数据传输和充电过程的稳定性。此外,它也适用于LED驱动电路中的电压稳压,防止LED因电压波动而损坏。
MMSZ5231B
MMSZ5231BS
MMBZ5231B